Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS139IXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm.
Інші пропозиції BSS139IXUSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies |
 SMALL SIGNAL MOSFETS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| BSS139IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |
| BSS139IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies |
N-channel depletion-mode small signal transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies |
N-channel depletion-mode small signal transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS139IXUSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SMALL SIGNAL MOSFETS
SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS139IXUSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS139IXUSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS139IXUSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-channel depletion-mode small signal transistor
N-channel depletion-mode small signal transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS139IXUSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-channel depletion-mode small signal transistor
N-channel depletion-mode small signal transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.