на замовлення 44204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 54.54 грн |
| 10+ | 47.35 грн |
| 100+ | 28.11 грн |
| 500+ | 23.49 грн |
| 1000+ | 20.04 грн |
| 3000+ | 18.05 грн |
| 6000+ | 16.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS159N H6906 Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSS159N H6906
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS159N H6906 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |