BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies


Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.37 грн
6000+9.09 грн
9000+8.63 грн
15000+7.62 грн
21000+7.34 грн
30000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS159NH6327XTSA2 за ціною від 7.19 грн до 46.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.88 грн
6000+10.29 грн
9000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Infineon info-tbss159n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.00 грн
250+17.19 грн
1000+10.61 грн
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+32.61 грн
687+20.59 грн
923+15.33 грн
1039+13.14 грн
3000+10.14 грн
6000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.55 грн
32+13.40 грн
35+12.30 грн
50+11.54 грн
100+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 33817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.98 грн
50+23.11 грн
250+16.69 грн
1000+10.46 грн
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon_BSS159N_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.69 грн
13+25.21 грн
100+14.03 грн
500+10.57 грн
1000+9.44 грн
3000+7.96 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
12+27.49 грн
100+17.47 грн
500+12.34 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 bss159n_rev2.2_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.88 грн
6000+10.29 грн
9000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 info-tbss159n.pdf
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.00 грн
250+17.19 грн
1000+10.61 грн
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 bss159n_rev2.2_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
434+32.61 грн
687+20.59 грн
923+15.33 грн
1039+13.14 грн
3000+10.14 грн
6000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+36.55 грн
32+13.40 грн
35+12.30 грн
50+11.54 грн
100+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 33817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+38.98 грн
50+23.11 грн
250+16.69 грн
1000+10.46 грн
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Infineon_BSS159N_DS_v02_02_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.69 грн
13+25.21 грн
100+14.03 грн
500+10.57 грн
1000+9.44 грн
3000+7.96 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.78 грн
12+27.49 грн
100+17.47 грн
500+12.34 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.