BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.37 грн |
| 6000+ | 9.09 грн |
| 9000+ | 8.63 грн |
| 15000+ | 7.62 грн |
| 21000+ | 7.34 грн |
| 30000+ | 7.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS159NH6327XTSA2 за ціною від 7.19 грн до 46.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 489000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS159NH6327XTSA2 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 19499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: depletion |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 33817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 |
на замовлення 3237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 186762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.88 грн |
| 6000+ | 10.29 грн |
| 9000+ | 7.65 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 12.88 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.00 грн |
| 250+ | 17.19 грн |
| 1000+ | 10.61 грн |
| 3000+ | 8.39 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 434+ | 32.61 грн |
| 687+ | 20.59 грн |
| 923+ | 15.33 грн |
| 1039+ | 13.14 грн |
| 3000+ | 10.14 грн |
| 6000+ | 9.14 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.55 грн |
| 32+ | 13.40 грн |
| 35+ | 12.30 грн |
| 50+ | 11.54 грн |
| 100+ | 10.94 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 33817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 38.98 грн |
| 50+ | 23.11 грн |
| 250+ | 16.69 грн |
| 1000+ | 10.46 грн |
| 3000+ | 8.11 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.69 грн |
| 13+ | 25.21 грн |
| 100+ | 14.03 грн |
| 500+ | 10.57 грн |
| 1000+ | 9.44 грн |
| 3000+ | 7.96 грн |
| 6000+ | 7.19 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.78 грн |
| 12+ | 27.49 грн |
| 100+ | 17.47 грн |
| 500+ | 12.34 грн |
| 1000+ | 11.03 грн |






