Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS159NH6327XTSA2
BSS159NH6327XTSA2

BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.37 грн
6000+7.33 грн
9000+6.97 грн
15000+6.15 грн
21000+5.92 грн
30000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS159NH6327XTSA2 за ціною від 5.55 грн до 45.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.85 грн
250+13.10 грн
1000+9.81 грн
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.68 грн
50+22.85 грн
250+13.10 грн
1000+9.81 грн
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.95 грн
14+23.49 грн
100+11.44 грн
500+9.83 грн
1000+8.78 грн
3000+6.67 грн
9000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.40 грн
32+13.35 грн
35+12.25 грн
50+11.49 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.12 грн
14+22.13 грн
100+14.10 грн
500+9.96 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.22 грн
6000+13.69 грн
9000+13.14 грн
15000+12.20 грн
24000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.23 грн
6000+14.67 грн
9000+14.08 грн
15000+13.07 грн
24000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+45.21 грн
20+38.69 грн
25+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.