Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS169H6327XTSA1
BSS169H6327XTSA1

BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
403+34.87 грн
633+22.23 грн
837+16.80 грн
1000+14.55 грн
3000+11.37 грн
6000+9.91 грн
9000+8.59 грн
15000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm.

Інші пропозиції BSS169H6327XTSA1 за ціною від 9.39 грн до 42.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.36W
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+40.80 грн
17+25.04 грн
50+17.71 грн
100+15.24 грн
250+12.52 грн
500+10.87 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
12+25.05 грн
100+15.98 грн
500+11.32 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS169_DS_v01_08_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 52316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 52316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.36W
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+40.80 грн
17+25.04 грн
50+17.71 грн
100+15.24 грн
250+12.52 грн
500+10.87 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.34 грн
12+25.05 грн
100+15.98 грн
500+11.32 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon_BSS169_DS_v01_08_EN.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 52316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 52316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.