Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS169H6327XTSA1
BSS169H6327XTSA1

BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS169H6327XTSA1 за ціною від 6.02 грн до 41.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.58 грн
6000+7.58 грн
12000+7.09 грн
24000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.19 грн
6000+8.06 грн
9000+7.66 грн
15000+6.77 грн
21000+6.52 грн
30000+6.28 грн
75000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.33 грн
6000+7.94 грн
12000+7.44 грн
24000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.87 грн
6000+8.48 грн
12000+7.43 грн
18000+7.08 грн
30000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.94 грн
250+20.83 грн
1000+11.19 грн
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.99 грн
20+20.38 грн
50+15.43 грн
100+13.59 грн
250+11.43 грн
500+10.15 грн
1000+8.87 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.18 грн
12+25.40 грн
50+18.51 грн
100+16.31 грн
250+13.72 грн
500+12.18 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.53 грн
50+26.94 грн
250+20.83 грн
1000+11.19 грн
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS169_DS_v01_08_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 18514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.49 грн
15+24.53 грн
100+15.19 грн
500+11.51 грн
1000+10.13 грн
3000+7.75 грн
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.50 грн
13+24.86 грн
100+15.87 грн
500+11.24 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.