Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS169H6327XTSA1
BSS169H6327XTSA1

BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.92 грн
9000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm.

Інші пропозиції BSS169H6327XTSA1 за ціною від 9.81 грн до 51.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3226+10.99 грн
10000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
18+24.35 грн
50+16.29 грн
100+13.79 грн
250+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.36 грн
50+16.23 грн
100+13.35 грн
500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon_bss169_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 28326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 28346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3226+10.99 грн
10000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.59 грн
18+24.35 грн
50+16.29 грн
100+13.79 грн
250+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
14+22.36 грн
50+16.23 грн
100+13.35 грн
500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
276+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 infineon_bss169_ds_en.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 28326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
на замовлення 28346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.