Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS169H6327XTSA1
BSS169H6327XTSA1

BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS169H6327XTSA1 за ціною від 6.07 грн до 41.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.80 грн
6000+7.77 грн
12000+7.27 грн
24000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.25 грн
6000+8.12 грн
9000+7.72 грн
15000+6.82 грн
21000+6.57 грн
30000+6.33 грн
75000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.57 грн
6000+8.15 грн
12000+7.63 грн
24000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.12 грн
6000+8.70 грн
12000+7.62 грн
18000+7.27 грн
30000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.64 грн
250+21.37 грн
1000+11.48 грн
3000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.79 грн
20+20.91 грн
50+15.83 грн
100+13.94 грн
250+11.73 грн
500+10.41 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.15 грн
12+26.06 грн
50+18.99 грн
100+16.73 грн
250+14.07 грн
500+12.50 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.50 грн
50+27.64 грн
250+21.37 грн
1000+11.48 грн
3000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS169_DS_v01_08_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 18514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+39.49 грн
15+25.17 грн
100+15.59 грн
500+11.81 грн
1000+10.39 грн
3000+7.95 грн
6000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.73 грн
14+25.01 грн
100+15.99 грн
500+11.32 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.