BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS169H6327XTSA1 за ціною від 6.05 грн до 42.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 76424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 109236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 76424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 |
на замовлення 27601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSS169H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |