Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS169H6327XTSA1
BSS169H6327XTSA1

BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS169H6327XTSA1 за ціною від 6.61 грн до 33.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.27 грн
6000+ 8.48 грн
9000+ 7.87 грн
30000+ 7.22 грн
75000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+12.41 грн
40+ 9.25 грн
120+ 7.04 грн
320+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.89 грн
25+ 11.52 грн
120+ 8.45 грн
320+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.38 грн
500+ 11.38 грн
1500+ 10.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
на замовлення 92306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.32 грн
13+ 22.69 грн
100+ 15.74 грн
500+ 11.53 грн
1000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0006623304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.09 грн
50+ 25.27 грн
100+ 19.38 грн
500+ 11.38 грн
1500+ 10.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
376+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 376
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS169_DS_v01_08_EN-1115481.pdf MOSFET N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 44359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.37 грн
12+ 27.95 грн
100+ 16.93 грн
500+ 13.18 грн
1000+ 10.72 грн
3000+ 9.42 грн
9000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній