Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS169H6327XTSA1
BSS169H6327XTSA1

BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.22 грн
6000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS169H6327XTSA1 за ціною від 8.57 грн до 77.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.10 грн
633+22.38 грн
837+16.92 грн
1000+14.65 грн
3000+11.45 грн
6000+9.98 грн
9000+8.65 грн
15000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.46 грн
17+25.79 грн
50+17.73 грн
100+14.93 грн
250+12.13 грн
500+10.52 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.95 грн
11+29.47 грн
100+18.80 грн
500+13.31 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS169_DS_v01_08_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.05 грн
10+52.69 грн
100+28.97 грн
500+17.90 грн
1000+13.18 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 infineon-bss169-ds-v01_08-en.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
403+35.10 грн
633+22.38 грн
837+16.92 грн
1000+14.65 грн
3000+11.45 грн
6000+9.98 грн
9000+8.65 грн
15000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+37.46 грн
17+25.79 грн
50+17.73 грн
100+14.93 грн
250+12.13 грн
500+10.52 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.95 грн
11+29.47 грн
100+18.80 грн
500+13.31 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon_BSS169_DS_v01_08_EN.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.05 грн
10+52.69 грн
100+28.97 грн
500+17.90 грн
1000+13.18 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.