Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS169IXTSA1
BSS169IXTSA1

BSS169IXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169IXTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS169IXTSA1 за ціною від 4.37 грн до 29.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss169idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+20.28 грн
705+20.07 грн
854+16.58 грн
1112+12.27 грн
1166+10.83 грн
1495+8.11 грн
2137+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
20+15.73 грн
100+7.50 грн
500+6.88 грн
1000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS169I_DataSheet_v02_01_EN-2237855.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.68 грн
18+18.64 грн
100+10.15 грн
500+7.26 грн
1000+5.85 грн
3000+4.86 грн
6000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 infineonbss169idatasheetv0201en.pdf
BSS169IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
698+20.28 грн
705+20.07 грн
854+16.58 грн
1112+12.27 грн
1166+10.83 грн
1495+8.11 грн
2137+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52
BSS169IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.17 грн
20+15.73 грн
100+7.50 грн
500+6.88 грн
1000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 Infineon_BSS169I_DataSheet_v02_01_EN-2237855.pdf
BSS169IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+29.68 грн
18+18.64 грн
100+10.15 грн
500+7.26 грн
1000+5.85 грн
3000+4.86 грн
6000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.