BSS169IXTSA1

BSS169IXTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS169IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.9ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSS169IXTSA1 за ціною від 3.51 грн до 35.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.15 грн
500+8.74 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
758+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 758
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
20+15.79 грн
100+7.53 грн
500+6.90 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : INFINEON 3208408.pdf Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.56 грн
49+17.00 грн
100+10.73 грн
500+7.39 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS169I_DataSheet_v02_01_EN-2237855.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 6586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
16+21.32 грн
100+8.83 грн
1000+7.58 грн
3000+5.96 грн
9000+5.08 грн
24000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=0V: 12.0 Ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss169i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.