на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1070+ | 12.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS192,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS192,115 за ціною від 11.71 грн до 96.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS192,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT89 200V 200A |
на замовлення 8235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |