Продукція > NEXPERIA > BSS192,115
BSS192,115

BSS192,115 Nexperia

bss192.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS192,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.

Інші пропозиції BSS192,115 за ціною від 10.68 грн до 63.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia bss192.pdf Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1070+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia bss192.pdf Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+16.54 грн
1000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia bss192.pdf Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
862+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 862 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia bss192.pdf Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.21 грн
2000+15.67 грн
3000+15.52 грн
5000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia bss192.pdf Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.49 грн
2000+15.91 грн
3000+15.76 грн
5000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia BSS192.pdf MOSFETs SOT89 200V 200A
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+48.46 грн
10+35.83 грн
100+20.92 грн
500+15.21 грн
1000+12.80 грн
2000+10.82 грн
5000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia USA Inc. BSS192.pdf Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.25 грн
10+37.88 грн
50+27.82 грн
100+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 12159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192,115 NEXPERIA BSS192.pdf Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 bss192.pdf
BSS192,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1070+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 bss192.pdf
BSS192,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
571+16.54 грн
1000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 bss192.pdf
BSS192,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
862+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 862 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 bss192.pdf
BSS192,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.21 грн
2000+15.67 грн
3000+15.52 грн
5000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 bss192.pdf
BSS192,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.49 грн
2000+15.91 грн
3000+15.76 грн
5000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192.pdf
BSS192,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT89 200V 200A
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.46 грн
10+35.83 грн
100+20.92 грн
500+15.21 грн
1000+12.80 грн
2000+10.82 грн
5000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192.pdf
BSS192,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.25 грн
10+37.88 грн
50+27.82 грн
100+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 NEXP-S-A0003059961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS192,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 12159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 NEXP-S-A0003059961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS192,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192,115 BSS192.pdf
BSS192,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.