BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 14.66 грн |
| 2000+ | 12.79 грн |
| 3000+ | 12.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS192PH6327FTSA1 за ціною від 8.88 грн до 54.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS192PH6327FTSA1 Код товару: 173677
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|