Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > BSS192PH6327FTSA1

BSS192PH6327FTSA1

Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c
Код товару: 173677
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS192PH6327FTSA1 за ціною від 9.60 грн до 64.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.23 грн
2000+15.16 грн
3000+15.01 грн
5000+13.15 грн
7000+10.26 грн
10000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.32 грн
2000+15.24 грн
3000+15.09 грн
5000+13.22 грн
7000+10.32 грн
10000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.25 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+53.44 грн
367+38.48 грн
506+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -0.19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -250V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.34 грн
12+36.66 грн
100+21.41 грн
250+17.73 грн
500+15.59 грн
1000+13.96 грн
2000+12.76 грн
3000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.84 грн
10+39.23 грн
50+28.80 грн
100+23.86 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS192P_DS_v01_07_en.pdf MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON 1781103.pdf Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 bss192p_rev1.7.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 bss192p_rev1.7.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 bss192p_rev1.7.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.23 грн
2000+15.16 грн
3000+15.01 грн
5000+13.15 грн
7000+10.26 грн
10000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 bss192p_rev1.7.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.32 грн
2000+15.24 грн
3000+15.09 грн
5000+13.22 грн
7000+10.32 грн
10000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.25 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 bss192p_rev1.7.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
265+53.44 грн
367+38.48 грн
506+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -0.19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -250V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.34 грн
12+36.66 грн
100+21.41 грн
250+17.73 грн
500+15.59 грн
1000+13.96 грн
2000+12.76 грн
3000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.84 грн
10+39.23 грн
50+28.80 грн
100+23.86 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 Infineon_BSS192P_DS_v01_07_en.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 1781103.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.