Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS192PH6327FTSA1
BSS192PH6327FTSA1

BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies

bss192p_rev1.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS192PH6327FTSA1 за ціною від 8.50 грн до 57.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.26 грн
2000+13.43 грн
3000+13.30 грн
5000+11.65 грн
7000+9.10 грн
10000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.41 грн
2000+13.45 грн
3000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.26 грн
2000+14.31 грн
3000+14.17 грн
5000+12.41 грн
7000+9.69 грн
10000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.62 грн
500+18.30 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA927B55CB5EB1CC&compId=BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf?ci_sign=15b0307eacafb5f99389df84c9a392d42ed54513 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.46 грн
15+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+47.09 грн
367+33.91 грн
506+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS192P_DS_v01_07_en.pdf MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.89 грн
12+31.15 грн
100+19.64 грн
500+15.81 грн
1000+13.89 грн
2000+10.51 грн
5000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.61 грн
10+33.49 грн
100+21.60 грн
500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON 1781103.pdf Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.76 грн
26+33.83 грн
100+24.62 грн
500+18.30 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1
Код товару: 173677
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41E3C77CFC469&compId=BSS192PH6327FTSA1.pdf?ci_sign=11076b1b245a34fddb3d33c4ae9cc3628d261909 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41E3C77CFC469&compId=BSS192PH6327FTSA1.pdf?ci_sign=11076b1b245a34fddb3d33c4ae9cc3628d261909 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.