 
BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1000+ | 9.62 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції BSS192PH6327FTSA1 за ціною від 10.16 грн до 50.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1338 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.19A Power dissipation: 1W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT89 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 620 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 12890 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4556 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 | на замовлення 3011 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1338 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.19A Power dissipation: 1W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT89 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 620 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 Код товару: 173677 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | BSS192PH6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності |