Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > BSS192PH6327FTSA1

BSS192PH6327FTSA1

Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c
Код товару: 173677
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS192PH6327FTSA1 за ціною від 9.21 грн до 54.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.46 грн
2000+12.62 грн
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.96 грн
2000+14.92 грн
3000+14.77 грн
5000+12.94 грн
7000+10.10 грн
10000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.05 грн
2000+15.00 грн
3000+14.85 грн
5000+13.01 грн
7000+10.16 грн
10000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.10 грн
500+17.17 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS192P_DS_v01_07_en.pdf MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.62 грн
12+28.10 грн
100+17.72 грн
500+14.26 грн
1000+12.53 грн
2000+9.48 грн
5000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.36 грн
14+31.66 грн
100+18.83 грн
500+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.18 грн
10+31.42 грн
100+20.27 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+52.60 грн
367+37.88 грн
506+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON 1781103.pdf Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.19 грн
26+31.74 грн
100+23.10 грн
500+17.17 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89 Група товару: Оптрони та твердотільні реле Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.