Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS192PH6327FTSA1
BSS192PH6327FTSA1

BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies

bss192p_rev1.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS192PH6327FTSA1 за ціною від 9.67 грн до 46.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.13 грн
2000+11.79 грн
3000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.00 грн
2000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
598+20.37 грн
600+20.29 грн
689+17.69 грн
1000+14.01 грн
2000+11.23 грн
4000+10.15 грн
8000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 598
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.25 грн
500+17.16 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.26 грн
16+24.64 грн
50+21.09 грн
70+12.77 грн
192+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.17 грн
11+27.89 грн
100+19.06 грн
500+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS192P_DS_v01_07_en-1226547.pdf MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.11 грн
10+37.14 грн
100+22.57 грн
500+17.63 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.91 грн
10+30.71 грн
50+25.31 грн
70+15.33 грн
192+14.51 грн
1000+14.24 грн
3000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.64 грн
27+31.10 грн
100+21.25 грн
500+17.16 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1
Код товару: 173677
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.