Продукція > INFINEON > BSS205NH6327XTSA1
BSS205NH6327XTSA1

BSS205NH6327XTSA1 Infineon

TBSS205n_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1 TBSS205n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS205NH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS205NH6327XTSA1 за ціною від 3.24 грн до 24.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.88 грн
6000+4.19 грн
9000+3.54 грн
15000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss205n_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
6000+5.34 грн
9000+4.85 грн
24000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss205n_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.41 грн
6000+5.37 грн
9000+4.88 грн
24000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 85mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 5277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+23.95 грн
22+18.78 грн
26+16.31 грн
50+11.04 грн
100+9.31 грн
500+6.51 грн
1000+5.77 грн
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.63 грн
22+13.93 грн
100+6.06 грн
500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS205N_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
на замовлення 22929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.88 грн
6000+4.19 грн
9000+3.54 грн
15000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 bss205n_rev2.4.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.37 грн
6000+5.34 грн
9000+4.85 грн
24000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 bss205n_rev2.4.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.41 грн
6000+5.37 грн
9000+4.88 грн
24000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 85mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 5277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+23.95 грн
22+18.78 грн
26+16.31 грн
50+11.04 грн
100+9.31 грн
500+6.51 грн
1000+5.77 грн
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.63 грн
22+13.93 грн
100+6.06 грн
500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 Infineon_BSS205N_DS_v02_04_en.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
на замовлення 22929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.