BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.379ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSS209PWH6327XTSA1 за ціною від 2.62 грн до 29.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: PG-SOT-323 |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: PG-SOT-323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 |
на замовлення 51535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V |
на замовлення 75765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.379ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 167315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS209PWH6327XTSA1 Код товару: 185997 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |