Інші пропозиції BSS209PWH6327XTSA1 за ціною від 3.52 грн до 25.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 0.55Ω Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT-323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P |
на замовлення 354 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSS209PWH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 19.19 грн |
| 33+ | 12.90 грн |
| 50+ | 8.96 грн |
| 100+ | 7.65 грн |
| BSS209PWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.61 грн |
| 25+ | 13.46 грн |
| 100+ | 7.33 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 4.79 грн |
| 3000+ | 3.95 грн |
| 6000+ | 3.52 грн |
| BSS209PWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.37 грн |
| 21+ | 14.74 грн |
| 100+ | 9.20 грн |
| 500+ | 6.37 грн |
| 1000+ | 5.63 грн |