Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > BSS209PWH6327XTSA1

BSS209PWH6327XTSA1

Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b
Код товару: 185997
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS209PWH6327XTSA1 за ціною від 3.42 грн до 24.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
6000+4.50 грн
9000+4.25 грн
15000+3.73 грн
21000+3.57 грн
30000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.46 грн
100+9.42 грн
500+7.60 грн
1000+6.18 грн
3000+4.90 грн
6000+4.16 грн
9000+3.60 грн
15000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
981+14.46 грн
1505+9.42 грн
1866+7.60 грн
2213+6.18 грн
3000+4.90 грн
6000+4.16 грн
9000+3.60 грн
15000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 981 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.79 грн
33+12.71 грн
50+8.84 грн
100+7.53 грн
500+5.39 грн
1000+4.66 грн
3000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.09 грн
500+6.32 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS209PW_DS_v01_32_en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
на замовлення 9271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.19 грн
6000+4.50 грн
9000+4.25 грн
15000+3.73 грн
21000+3.57 грн
30000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 bss209pw_rev1.32_pdf.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 bss209pw_rev1.32_pdf.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 bss209pw_rev1.32_pdf.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.46 грн
100+9.42 грн
500+7.60 грн
1000+6.18 грн
3000+4.90 грн
6000+4.16 грн
9000+3.60 грн
15000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 bss209pw_rev1.32_pdf.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
981+14.46 грн
1505+9.42 грн
1866+7.60 грн
2213+6.18 грн
3000+4.90 грн
6000+4.16 грн
9000+3.60 грн
15000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 981 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.79 грн
33+12.71 грн
50+8.84 грн
100+7.53 грн
500+5.39 грн
1000+4.66 грн
3000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.09 грн
500+6.32 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon_BSS209PW_DS_v01_32_en.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
на замовлення 9271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 bss209pw_rev1.32_pdf.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.