Інші пропозиції BSS209PWH6327XTSA1 за ціною від 2.43 грн до 22.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1548000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1548000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 32505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 140344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 140344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Case: PG-SOT-323 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -0.63A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 0.55Ω Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 604 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |