Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS209PWH6327XTSA1
BSS209PWH6327XTSA1

BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4919+2.53 грн
6000+2.50 грн
9000+2.47 грн
15000+2.36 грн
21000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 4919
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS209PWH6327XTSA1 за ціною від 2.32 грн до 20.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.71 грн
6000+2.67 грн
9000+2.65 грн
15000+2.53 грн
21000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1548000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4438+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1548000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 32505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2947+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 2947
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.44 грн
6000+3.84 грн
9000+3.63 грн
15000+3.17 грн
21000+3.03 грн
30000+2.90 грн
75000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.38 грн
1000+5.30 грн
5000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -630mA
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
55+7.44 грн
75+5.43 грн
100+4.77 грн
500+3.63 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -630mA
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.54 грн
33+9.27 грн
50+6.52 грн
100+5.73 грн
500+4.36 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+15.33 грн
92+9.49 грн
250+6.38 грн
1000+5.30 грн
5000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS209PW_DS_v01_32_en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
на замовлення 15816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+16.39 грн
37+9.91 грн
100+5.05 грн
500+4.74 грн
1000+4.50 грн
3000+3.11 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.99 грн
26+12.53 грн
100+7.86 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1
Код товару: 185997
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.