Продукція > INFINEON > BSS214NH6327XTSA1
BSS214NH6327XTSA1

BSS214NH6327XTSA1 Infineon

info-tbss214n.pdf
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NH6327XTSA1; BSS214NH6327; PT2302B; BSS214NH6327XTSA1 TBSS214n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS214NH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS214NH6327XTSA1 за ціною від 3.38 грн до 29.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
6000+4.46 грн
9000+4.21 грн
15000+3.69 грн
21000+3.53 грн
30000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss214n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1686000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss214n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1686000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
6000+7.79 грн
9000+7.35 грн
15000+6.62 грн
21000+5.88 грн
30000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.68 грн
250+11.51 грн
1000+6.10 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
22+14.35 грн
100+8.99 грн
500+6.25 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.67 грн
28+15.61 грн
100+9.71 грн
250+7.92 грн
500+6.65 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS214N_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
на замовлення 19812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.49 грн
22+15.40 грн
100+8.46 грн
500+6.27 грн
1000+5.50 грн
3000+4.58 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss214n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 56559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.60 грн
50+17.68 грн
250+11.51 грн
1000+6.10 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.13 грн
6000+4.46 грн
9000+4.21 грн
15000+3.69 грн
21000+3.53 грн
30000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 bss214n_rev2.3.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1686000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 bss214n_rev2.3.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1686000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.64 грн
6000+7.79 грн
9000+7.35 грн
15000+6.62 грн
21000+5.88 грн
30000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.68 грн
250+11.51 грн
1000+6.10 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.58 грн
22+14.35 грн
100+8.99 грн
500+6.25 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+24.67 грн
28+15.61 грн
100+9.71 грн
250+7.92 грн
500+6.65 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 Infineon_BSS214N_DS_v02_03_en.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
на замовлення 19812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.49 грн
22+15.40 грн
100+8.46 грн
500+6.27 грн
1000+5.50 грн
3000+4.58 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 bss214n_rev2.3.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 56559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
528+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+29.60 грн
50+17.68 грн
250+11.51 грн
1000+6.10 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.