BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS214NH6327XTSA1 за ціною від 2.82 грн до 26.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 51743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 177143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 48727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 |
на замовлення 54277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NH6327XTSA1; BSS214NH6327; PT2302B; BSS214NH6327XTSA1 TBSS214n |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |