BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSS214NH6327XTSA1 за ціною від 3.32 грн до 30.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V |
на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 69834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 91075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 |
на замовлення 6648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 69834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V |
на замовлення 318936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |