BSS215PH6327

BSS215PH6327 Infineon Technologies


bss215p_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
805+15.17 грн
835+14.62 грн
1000+14.15 грн
2500+13.24 грн
5000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS215PH6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSS215PH6327 за ціною від 5.44 грн до 35.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS215P H6327 BSS215P H6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS215P-DS-v02_03-en-1225585.pdf MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
на замовлення 25954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
13+26.57 грн
100+14.35 грн
1000+7.87 грн
3000+6.77 грн
9000+5.81 грн
24000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215P H6327 Виробник : Infineon INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215P H6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.