BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies


BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.11 грн
6000+5.33 грн
9000+5.04 грн
15000+4.43 грн
21000+4.26 грн
30000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS215PH6327XTSA1 за ціною від 5.36 грн до 31.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.72 грн
100+10.52 грн
500+7.36 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT23
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.15Ω
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.15 грн
22+19.85 грн
50+13.40 грн
100+11.37 грн
500+7.97 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS215P-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.82 грн
17+19.29 грн
100+10.64 грн
500+7.96 грн
1000+7.05 грн
3000+5.85 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.75 грн
19+16.72 грн
100+10.52 грн
500+7.36 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT23
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.15Ω
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+30.15 грн
22+19.85 грн
50+13.40 грн
100+11.37 грн
500+7.97 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 Infineon-BSS215P-DS-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.82 грн
17+19.29 грн
100+10.64 грн
500+7.96 грн
1000+7.05 грн
3000+5.85 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.