BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.08 грн |
| 6000+ | 5.31 грн |
| 9000+ | 5.02 грн |
| 15000+ | 4.42 грн |
| 21000+ | 4.24 грн |
| 30000+ | 4.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS215PH6327XTSA1 за ціною від 4.98 грн до 31.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±12V Case: PG-SOT23 |
на замовлення 2584 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 48037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 |
на замовлення 18470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|