Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS215PH6327XTSA1
BSS215PH6327XTSA1

BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss215p_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS215PH6327XTSA1 за ціною від 3.71 грн до 29.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.18 грн
9000+5.52 грн
24000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.30 грн
6000+5.55 грн
9000+4.80 грн
15000+4.31 грн
21000+4.11 грн
30000+3.87 грн
75000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.54 грн
9000+5.85 грн
24000+5.67 грн
99000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.61 грн
9000+5.91 грн
24000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.04 грн
9000+6.30 грн
24000+6.10 грн
99000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1441+8.45 грн
1570+7.76 грн
1617+7.53 грн
2000+6.96 грн
9000+6.20 грн
18000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1346+9.05 грн
1460+8.34 грн
1500+8.11 грн
2000+7.79 грн
9000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 1346
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.63 грн
250+14.74 грн
1000+7.14 грн
5000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
25+15.82 грн
35+11.01 грн
50+8.87 грн
100+7.49 грн
167+5.35 грн
460+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS215P_DS_v02_03_en-1731230.pdf MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
на замовлення 82199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.89 грн
18+19.50 грн
100+8.07 грн
1000+7.34 грн
3000+5.72 грн
9000+5.21 грн
24000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 126442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
17+18.73 грн
100+11.69 грн
500+7.68 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.65 грн
15+19.72 грн
25+13.21 грн
50+10.64 грн
100+8.99 грн
167+6.42 грн
460+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.64 грн
50+23.63 грн
250+14.74 грн
1000+7.14 грн
5000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.