Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS223PWH6327XTSA1
BSS223PWH6327XTSA1

BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss223pw_rev1.5.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.31 грн
6000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS223PWH6327XTSA1 за ціною від 1.36 грн до 21.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8983+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 8983
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.46 грн
6000+2.30 грн
9000+1.95 грн
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2743+4.44 грн
2768+4.40 грн
3760+3.24 грн
4659+2.52 грн
5191+2.09 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 2743
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 33782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1832+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 1832
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.60 грн
1000+4.41 грн
7500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+9.76 грн
93+6.53 грн
94+6.43 грн
147+3.97 грн
250+3.65 грн
500+2.58 грн
1000+2.08 грн
3000+1.87 грн
6000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.27 грн
31+9.98 грн
100+5.44 грн
500+4.36 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+17.91 грн
40+9.68 грн
46+8.31 грн
52+7.33 грн
100+6.43 грн
225+3.93 грн
617+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en-3360730.pdf MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
на замовлення 24881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.54 грн
34+10.01 грн
100+4.86 грн
1000+3.92 грн
3000+2.18 грн
99000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+19.86 грн
68+12.13 грн
250+7.60 грн
1000+4.41 грн
7500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.49 грн
24+12.06 грн
28+9.98 грн
50+8.80 грн
100+7.71 грн
225+4.72 грн
617+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f BSS223PW P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.