BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8983+ | 1.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS223PWH6327XTSA1 за ціною від 1.55 грн до 19.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 12658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 43478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 33782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 12658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 1.2Ω Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Case: PG-SOT-323 |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3 |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 111958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 42683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|