Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS223PWH6327XTSA1
BSS223PWH6327XTSA1

BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss223pw_rev1.5.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8983+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 8983
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS223PWH6327XTSA1 за ціною від 1.48 грн до 19.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.55 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.71 грн
6000+3.20 грн
9000+3.02 грн
15000+2.63 грн
21000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2743+4.54 грн
2768+4.49 грн
3760+3.31 грн
4659+2.57 грн
5191+2.14 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 2743
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.39 грн
1000+4.67 грн
7500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 33782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1832+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 1832
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+11.50 грн
93+7.70 грн
94+7.59 грн
147+4.69 грн
250+4.30 грн
500+3.04 грн
1000+2.45 грн
3000+2.20 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.80 грн
48+8.57 грн
74+5.52 грн
100+4.54 грн
250+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.77 грн
29+10.68 грн
50+6.62 грн
100+5.45 грн
250+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.48 грн
31+10.67 грн
100+6.65 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
на замовлення 23465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.66 грн
35+10.45 грн
100+5.05 грн
500+4.35 грн
1000+3.96 грн
3000+2.33 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+19.59 грн
77+11.32 грн
250+6.39 грн
1000+4.67 грн
7500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.