Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS223PWH6327XTSA1
BSS223PWH6327XTSA1

BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.34 грн
6000+3.75 грн
9000+3.53 грн
15000+3.08 грн
21000+2.94 грн
30000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS223PWH6327XTSA1 за ціною від 1.90 грн до 21.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.94 грн
35+9.48 грн
100+4.58 грн
500+3.95 грн
1000+3.59 грн
3000+2.11 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.36 грн
39+10.94 грн
57+7.57 грн
100+6.44 грн
250+5.26 грн
500+4.54 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.41 грн
25+12.52 грн
100+7.78 грн
500+5.36 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.63 грн
65+12.83 грн
250+7.69 грн
1000+4.61 грн
7500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.94 грн
35+9.48 грн
100+4.58 грн
500+3.95 грн
1000+3.59 грн
3000+2.11 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+17.36 грн
39+10.94 грн
57+7.57 грн
100+6.44 грн
250+5.26 грн
500+4.54 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.41 грн
25+12.52 грн
100+7.78 грн
500+5.36 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+21.63 грн
65+12.83 грн
250+7.69 грн
1000+4.61 грн
7500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.