Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS225H6327FTSA1
BSS225H6327FTSA1

BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS225H6327FTSA1 за ціною від 7.98 грн до 60.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.52 грн
2000+12.75 грн
3000+12.31 грн
5000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.66 грн
2000+12.75 грн
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.70 грн
2000+12.94 грн
3000+12.24 грн
10000+8.85 грн
25000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+16.00 грн
100+15.38 грн
250+14.20 грн
500+13.59 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.86 грн
2000+13.73 грн
3000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.09 грн
2000+14.08 грн
3000+13.32 грн
10000+9.63 грн
25000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
707+17.23 грн
709+17.18 грн
711+17.13 грн
713+16.47 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 707
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.70 грн
500+17.97 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
10+30.89 грн
100+22.13 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.92 грн
25+33.76 грн
100+24.70 грн
500+17.97 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.55 грн
12+33.03 грн
50+18.42 грн
137+17.43 грн
500+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS225_DataSheet_v01_29_EN-3360833.pdf MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
на замовлення 5336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.34 грн
10+35.87 грн
100+21.87 грн
500+17.69 грн
1000+16.00 грн
2000+13.43 грн
10000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.66 грн
10+41.16 грн
50+22.11 грн
137+20.92 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.