Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS225H6327FTSA1
BSS225H6327FTSA1

BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm.

Інші пропозиції BSS225H6327FTSA1 за ціною від 12.02 грн до 65.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1066+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 1066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1026+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 1026 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon info-tbss225.pdf N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
946+15.06 грн
979+14.55 грн
989+14.41 грн
1007+13.64 грн
1016+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.42 грн
50+15.22 грн
51+15.06 грн
100+14.03 грн
250+12.87 грн
500+12.12 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+17.37 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.23 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.94 грн
12000+17.30 грн
18000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 90mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
On-state resistance: 45Ω
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.44 грн
13+33.84 грн
15+28.14 грн
100+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.56 грн
10+39.07 грн
50+28.70 грн
100+23.79 грн
500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS225_DataSheet_v01_29_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1066+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 1066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1026+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 1026 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 info-tbss225.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
946+15.06 грн
979+14.55 грн
989+14.41 грн
1007+13.64 грн
1016+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+16.42 грн
50+15.22 грн
51+15.06 грн
100+14.03 грн
250+12.87 грн
500+12.12 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
820+17.37 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.23 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.94 грн
12000+17.30 грн
18000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 90mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
On-state resistance: 45Ω
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.44 грн
13+33.84 грн
15+28.14 грн
100+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.56 грн
10+39.07 грн
50+28.70 грн
100+23.79 грн
500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Infineon_BSS225_DataSheet_v01_29_EN.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.