Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS225H6327FTSA1
BSS225H6327FTSA1

BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS225H6327FTSA1 за ціною від 10.47 грн до 58.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1066+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 1066
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1026+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 1026
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
946+13.50 грн
979+13.04 грн
989+12.91 грн
1007+12.22 грн
1016+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 946
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
820+15.57 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 820
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.63 грн
2000+13.65 грн
3000+12.93 грн
5000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+15.77 грн
50+14.61 грн
51+14.46 грн
100+13.47 грн
250+12.35 грн
500+11.64 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.97 грн
12000+15.51 грн
18000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
21+20.17 грн
22+18.94 грн
100+14.76 грн
250+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS225_DataSheet_v01_29_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.82 грн
18+20.46 грн
100+15.75 грн
500+15.67 грн
1000+12.05 грн
2000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.67 грн
13+22.73 грн
100+17.71 грн
250+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.52 грн
24+37.89 грн
100+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.76 грн
10+34.93 грн
100+22.55 грн
500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.