 
BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 4.12 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101. 
Інші пропозиції BSS306NH6327XTSA1 за ціною від 3.89 грн до 30.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 85418 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 186000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 186000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 94928 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9870 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 2.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement | на замовлення 10582 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 85574 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 2.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10582 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | на замовлення 63579 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9870 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |  Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;  Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB; BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |  Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;  Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB; BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 413 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності |