Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS306NH6327XTSA1
BSS306NH6327XTSA1

BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies

BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.32 грн
9000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.

Інші пропозиції BSS306NH6327XTSA1 за ціною від 5.36 грн до 45.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 113602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.67 грн
16+19.83 грн
50+14.33 грн
100+11.76 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9086 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.46 грн
20+21.20 грн
50+14.91 грн
100+12.82 грн
167+5.78 грн
457+5.45 грн
9000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS306N_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 48389 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+35.77 грн
20+15.71 грн
100+11.80 грн
500+8.91 грн
1000+8.83 грн
3000+6.24 грн
6000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 113602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.67 грн
16+19.83 грн
50+14.33 грн
100+11.76 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9086 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.46 грн
20+21.20 грн
50+14.91 грн
100+12.82 грн
167+5.78 грн
457+5.45 грн
9000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 Infineon_BSS306N_DS_v02_03_en.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 48389 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.77 грн
20+15.71 грн
100+11.80 грн
500+8.91 грн
1000+8.83 грн
3000+6.24 грн
6000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.