BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS306NH6327XTSA1 за ціною від 3.89 грн до 31.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 96883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 95080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 |
на замовлення 77410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2623 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 6915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|