BSS306NH6327XTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB; BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 4.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
200 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS306NH6327XTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.
Інші пропозиції BSS306NH6327XTSA1 за ціною від 5.24 грн до 31.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 116833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 94928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 94928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 On-state resistance: 93mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 2.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 |
на замовлення 9086 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 116833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 |
на замовлення 48584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 5919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 5919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 116833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.00 грн |
| 9000+ | 5.79 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.13 грн |
| 9000+ | 6.61 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.24 грн |
| 9000+ | 6.70 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 23.66 грн |
| 50+ | 19.55 грн |
| 100+ | 16.48 грн |
| 500+ | 11.01 грн |
| 3000+ | 7.01 грн |
| 9000+ | 5.48 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 599+ | 23.70 грн |
| 724+ | 19.58 грн |
| 859+ | 16.51 грн |
| 1240+ | 11.03 грн |
| 3000+ | 7.02 грн |
| 9000+ | 5.49 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
на замовлення 9086 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 30.43 грн |
| 23+ | 18.53 грн |
| 50+ | 13.05 грн |
| 100+ | 11.22 грн |
| 250+ | 9.14 грн |
| 500+ | 7.89 грн |
| 1000+ | 6.81 грн |
| 3000+ | 5.32 грн |
| 6000+ | 5.24 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 116833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.84 грн |
| 16+ | 18.92 грн |
| 50+ | 13.70 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| 500+ | 8.41 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 48584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS306NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)