BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Інші пропозиції BSS306NH6327XTSA1 за ціною від 4.32 грн до 31.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 8670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 95880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 28820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V |
на замовлення 52406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 |
на замовлення 35945 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 28820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 893 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |