Продукція > INFINEON > BSS306NH6327XTSA1
BSS306NH6327XTSA1

BSS306NH6327XTSA1 Infineon

info-tbss306n.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB; BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS306NH6327XTSA1 Infineon

Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS306NH6327XTSA1 за ціною від 4.72 грн до 32.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.90 грн
6000+5.02 грн
9000+4.91 грн
15000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.90 грн
6000+5.03 грн
9000+4.91 грн
15000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
6000+6.26 грн
9000+5.93 грн
15000+5.22 грн
21000+5.01 грн
30000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
803+17.67 грн
1533+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
22+19.03 грн
50+12.46 грн
100+10.47 грн
250+8.48 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 131616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.37 грн
100+12.27 грн
500+8.61 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS306N-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 63461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.90 грн
6000+5.02 грн
9000+4.91 грн
15000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.90 грн
6000+5.03 грн
9000+4.91 грн
15000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.17 грн
6000+6.26 грн
9000+5.93 грн
15000+5.22 грн
21000+5.01 грн
30000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
803+17.67 грн
1533+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
22+19.03 грн
50+12.46 грн
100+10.47 грн
250+8.48 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 131616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
16+19.37 грн
100+12.27 грн
500+8.61 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 Infineon-BSS306N-DS-v02_03-en.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 63461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.