Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS308PEH6327XTSA1
BSS308PEH6327XTSA1

BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss308pe_rev2.03_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS308PEH6327XTSA1 за ціною від 4.05 грн до 40.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 235470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.76 грн
6000+5.99 грн
9000+5.37 грн
15000+4.73 грн
21000+4.43 грн
30000+4.18 грн
75000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.22 грн
9000+6.53 грн
24000+5.94 грн
45000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.55 грн
9000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.13 грн
9000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 179900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.94 грн
500+8.99 грн
1500+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
710+17.19 грн
846+14.44 грн
1000+13.83 грн
9000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 710
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.22 грн
17+23.49 грн
50+16.28 грн
100+13.95 грн
172+5.35 грн
472+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 235540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.39 грн
18+17.29 грн
100+10.23 грн
500+8.24 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 165488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.81 грн
50+20.45 грн
250+11.27 грн
1000+8.22 грн
5000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.26 грн
10+29.27 грн
50+19.53 грн
100+16.74 грн
172+6.42 грн
472+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en-1731197.pdf MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
на замовлення 166232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.46 грн
16+22.08 грн
100+11.24 грн
1000+10.05 грн
3000+6.55 грн
9000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.