Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS308PEH6327XTSA1
BSS308PEH6327XTSA1

BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss308pe_rev2.03_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS308PEH6327XTSA1 за ціною від 4.19 грн до 39.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.00 грн
6000+6.19 грн
9000+5.70 грн
15000+4.97 грн
21000+4.96 грн
30000+4.59 грн
75000+4.26 грн
150000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.20 грн
9000+6.52 грн
24000+5.92 грн
45000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.53 грн
9000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.11 грн
9000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 179900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.75 грн
500+8.87 грн
1500+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
710+17.15 грн
846+14.40 грн
1000+13.79 грн
9000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 710
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.29 грн
21+18.50 грн
50+13.38 грн
100+11.70 грн
175+5.27 грн
482+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 244038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
18+17.89 грн
100+10.44 грн
500+8.53 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 167978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.33 грн
50+22.31 грн
250+14.16 грн
1000+8.10 грн
5000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.54 грн
13+23.05 грн
50+16.05 грн
100+14.04 грн
175+6.33 грн
482+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en-1731197.pdf MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
на замовлення 166232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.90 грн
16+21.78 грн
100+11.08 грн
1000+9.91 грн
3000+6.46 грн
9000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.