BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS308PEH6327XTSA1 за ціною від 3.69 грн до 34.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 21768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 147439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 207979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 147439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 17746 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSS308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 |
товару немає в наявності |