Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS308PEH6327XTSA1
BSS308PEH6327XTSA1

BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss308pe_rev2.03_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS308PEH6327XTSA1 за ціною від 3.60 грн до 32.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.68 грн
6000+5.91 грн
9000+4.88 грн
15000+4.44 грн
21000+4.31 грн
30000+4.13 грн
75000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1684+7.35 грн
1741+7.11 грн
2500+6.91 грн
5000+6.48 грн
10000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 1684
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.43 грн
6000+6.72 грн
9000+5.40 грн
15000+5.11 грн
21000+3.86 грн
24000+3.67 грн
30000+3.63 грн
75000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.99 грн
6000+7.21 грн
9000+5.81 грн
15000+5.49 грн
21000+4.14 грн
24000+3.95 грн
30000+3.90 грн
75000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.68 грн
500+8.91 грн
1000+7.33 грн
5000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
623+19.89 грн
893+13.86 грн
1021+12.13 грн
5000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.57 грн
19+17.10 грн
100+10.67 грн
500+8.14 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.73 грн
47+18.25 грн
100+12.68 грн
500+8.91 грн
1000+7.33 грн
5000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.