BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS315PH6327XTSA1 за ціною від 2.96 грн до 36.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 |
на замовлення 19231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 75509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BSS315PH6327XTSA1 Код товару: 118761
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|