BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
на замовлення 609000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.23 грн |
| 6000+ | 3.89 грн |
| 9000+ | 3.37 грн |
| 30000+ | 3.1 грн |
| 75000+ | 2.57 грн |
| 150000+ | 2.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSS316NH6327XTSA1 за ціною від 2.9 грн до 31.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.119 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm |
на замовлення 47740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.4A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 13340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V |
на замовлення 611845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.4A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 |
на замовлення 275887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.119 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm |
на замовлення 47740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |