Інші пропозиції BSS316NH6327XTSA1 за ціною від 2.27 грн до 15.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 546000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 432000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 19415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 432354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 |
на замовлення 80316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|