BSS4130AHZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.27 грн |
| 11+ | 28.13 грн |
| 100+ | 18.03 грн |
| 500+ | 12.82 грн |
| 1000+ | 11.50 грн |
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Технічний опис BSS4130AHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS4130AHZGT116
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BSS4130AHZGT116 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NCH 30V 1A AMP TRANS |
на замовлення 17855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSS4130AHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSS4130AHZGT116 | ROHM |
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS4130AHZGT116 |
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Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NCH 30V 1A AMP TRANS
Bipolar Transistors - BJT NCH 30V 1A AMP TRANS
на замовлення 17855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS4130AHZGT116 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS4130AHZGT116 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 200mW
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)