Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS5130AHZGT116

BSS5130AHZGT116 Rohm Semiconductor

Name: BSS5130AHZGT116
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 10420783-3
Price: 29820.00 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=BSS5130AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSS5130AHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSS5130AHZGT116

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BSS5130AHZGT116

ROHM

Description: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.09 грн
500+	12.41 грн
1000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS5130AHZGT116

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.49 грн
12+	25.73 грн
100+	16.49 грн
500+	11.73 грн
1000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS5130AHZGT116

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PCH 30V 1A AMP TRANS

на замовлення 3976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.75 грн
12+	27.71 грн
100+	15.46 грн
500+	11.67 грн
1000+	10.49 грн
3000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS5130AHZGT116

ROHM

Description: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.48 грн
28+	29.80 грн
100+	19.09 грн
500+	12.41 грн
1000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS5130AHZGT116

Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	19.09 грн
500+	12.41 грн
1000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS5130AHZGT116

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	43.49 грн
12+	25.73 грн
100+	16.49 грн
500+	11.73 грн
1000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS5130AHZGT116

Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PCH 30V 1A AMP TRANS

на замовлення 3976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	45.75 грн
12+	27.71 грн
100+	15.46 грн
500+	11.67 грн
1000+	10.49 грн
3000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

BSS5130AHZGT116

Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	48.48 грн
28+	29.80 грн
100+	19.09 грн
500+	12.41 грн
1000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.