BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 17.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Інші пропозиції BSS606NH6327XTSA1 за ціною від 9.21 грн до 63.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 5085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3 |
на замовлення 10338 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 3.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT89 On-state resistance: 90mΩ |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 30351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 33274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS606NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 613+ | 23.26 грн |
| 615+ | 23.16 грн |
| 732+ | 19.46 грн |
| 1000+ | 16.02 грн |
| 2000+ | 13.31 грн |
| BSS606NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
на замовлення 10338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.69 грн |
| 10+ | 32.04 грн |
| 100+ | 18.65 грн |
| 500+ | 14.33 грн |
| 1000+ | 12.43 грн |
| 2000+ | 9.80 грн |
| 5000+ | 9.21 грн |
| BSS606NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT89
On-state resistance: 90mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT89
On-state resistance: 90mΩ
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 50.66 грн |
| 15+ | 29.05 грн |
| 50+ | 21.13 грн |
| 100+ | 18.57 грн |
| BSS606NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.25 грн |
| 10+ | 37.73 грн |
| 50+ | 27.72 грн |
| 100+ | 22.96 грн |
| 500+ | 17.60 грн |
| BSS606NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 30351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS606NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)