Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS606NH6327XTSA1
BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss606n_2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS606NH6327XTSA1 за ціною від 10.30 грн до 51.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.17 грн
2000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
613+19.93 грн
615+19.85 грн
732+16.67 грн
1000+13.73 грн
2000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.00 грн
200+19.54 грн
500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.79 грн
16+24.45 грн
50+20.08 грн
75+12.03 грн
206+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.46 грн
27+30.87 грн
50+26.00 грн
200+19.54 грн
500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
10+30.46 грн
50+24.09 грн
75+14.44 грн
206+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
на замовлення 13147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.55 грн
11+33.50 грн
100+19.72 грн
500+15.52 грн
1000+13.68 грн
2000+10.67 грн
10000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+32.42 грн
100+21.30 грн
500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.