BSS63,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS63,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS63,215 за ціною від 2.81 грн до 34.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS63,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS63,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS63,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS63,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS63,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS63,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS63,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 100MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
BSS63,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 85MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 100V Kind of package: 7 inch reel; tape |
товару немає в наявності |