на замовлення 15966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4919+ | 2.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS63,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS63,215 за ціною від 2.66 грн до 23.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS63,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PNP high-voltage transistor |
на замовлення 7121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS63,215 | Виробник : NEXPERIA |
BSS63.215 PNP SMD transistors |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSS63,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSS63,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |