BSS63,215

BSS63,215 Nexperia USA Inc.


BSS63.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS63,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS63,215 за ціною від 2.80 грн до 17.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS63,215 BSS63,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.62 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215 BSS63,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.72 грн
32+9.54 грн
100+5.93 грн
500+4.07 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215 BSS63,215 Виробник : Nexperia BSS63.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP high-voltage transistor
на замовлення 7121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.88 грн
32+10.13 грн
100+5.45 грн
500+4.05 грн
1000+3.35 грн
3000+2.87 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215 BSS63,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+17.85 грн
76+10.84 грн
121+6.76 грн
500+4.62 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215 BSS63,215 Виробник : Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215 Виробник : NXP USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63,215 BSS63,215 Виробник : NEXPERIA BSS63.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 85MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.