Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS63AHZGT116
BSS63AHZGT116

BSS63AHZGT116 Rohm Semiconductor

bss63ahzgt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2565+5.52 грн
2646+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS63AHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS63AHZGT116 за ціною від 13.88 грн до 24.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM bss63ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 Rohm Semiconductor bss63ahzgt116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM bss63ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
22+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AHZGT116
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 bss63ahzgt116-e.pdf
BSS63AHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 bss63ahzgt116-e.pdf
BSS63AHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AHZGT116 bss63ahzgt116-e.pdf
BSS63AHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.