BSS63AT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2930+ | 4.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS63AT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції BSS63AT116 за ціною від 4.30 грн до 26.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS63AT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63AT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63AT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63AT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63AT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS63AT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |