BSS63AT116 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1873+ | 7.60 грн |
| 1936+ | 7.36 грн |
| 2500+ | 7.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1873 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS63AT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції BSS63AT116 за ціною від 4.75 грн до 24.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS63AT116 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor |
на замовлення 7350 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1563 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS63AT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 807+ | 17.65 грн |
| 1304+ | 10.93 грн |
| BSS63AT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1132+ | 17.66 грн |
| BSS63AT116 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.91 грн |
| 17+ | 17.91 грн |
| 100+ | 9.73 грн |
| 500+ | 7.17 грн |
| 1000+ | 6.44 грн |
| 3000+ | 5.63 грн |
| 6000+ | 4.75 грн |
| BSS63AT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS63AT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS63AT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)