BSS63AT116

BSS63AT116 Rohm Semiconductor


bss63at116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1873+7.45 грн
1936+7.21 грн
2500+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 1873
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS63AT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції BSS63AT116 за ціною від 4.52 грн до 23.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS63AT116 BSS63AT116 Виробник : Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
807+17.29 грн
1304+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116 BSS63AT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.69 грн
19+17.03 грн
100+9.25 грн
500+6.81 грн
1000+6.12 грн
3000+5.35 грн
6000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116 BSS63AT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116 BSS63AT116 Виробник : Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116 BSS63AT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63AT116 BSS63AT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.