BSS64AHZGT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2565+ | 4.75 грн |
| 2646+ | 4.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS64AHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS64AHZGT116 за ціною від 4.03 грн до 27.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS64AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS64AHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS64AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 100V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS64AHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-23, 100V 100mA, High-Voltage Amplifier Transistor |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS64AHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS64AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS64AHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 100V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |