Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS64LT1G
BSS64LT1G

BSS64LT1G ON Semiconductor

bss64lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.71 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS64LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS64LT1G за ціною від 2.75 грн до 39.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3817+3.71 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.62 грн
138+5.97 грн
500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.70 грн
51+8.40 грн
73+5.84 грн
100+5.00 грн
500+3.53 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G onsemi bss64lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
37+8.40 грн
100+5.18 грн
500+3.55 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G onsemi bss64lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
на замовлення 14674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.88 грн
37+9.00 грн
100+4.86 грн
500+3.59 грн
1000+3.17 грн
3000+2.82 грн
6000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.71 грн
86+9.62 грн
138+5.97 грн
500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.26 грн
63+12.10 грн
67+11.30 грн
101+7.26 грн
250+6.28 грн
500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G On Semiconductor bss64lt1-d.pdf SOT-23 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3817+3.71 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G 2355036.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.62 грн
138+5.97 грн
500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+13.70 грн
51+8.40 грн
73+5.84 грн
100+5.00 грн
500+3.53 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
37+8.40 грн
100+5.18 грн
500+3.55 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
на замовлення 14674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.88 грн
37+9.00 грн
100+4.86 грн
500+3.59 грн
1000+3.17 грн
3000+2.82 грн
6000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G 2355036.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
53+15.71 грн
86+9.62 грн
138+5.97 грн
500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+18.26 грн
63+12.10 грн
67+11.30 грн
101+7.26 грн
250+6.28 грн
500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
SOT-23 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.