BSS64LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.65 грн |
| 6000+ | 3.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS64LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS64LT1G за ціною від 2.71 грн до 31.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 60MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Current gain: 20 Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS64LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN |
на замовлення 14674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BSS64LT1G | Виробник : On Semiconductor |
SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSS64LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
товару немає в наявності |