Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS64LT1G
BSS64LT1G

BSS64LT1G ON Semiconductor

bss64lt1d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7143+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS64LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSS64LT1G за ціною від 2.17 грн до 15.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3927+3.14 грн
6000+2.93 грн
9000+2.63 грн
15000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3927
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3788+3.26 грн
3808+3.24 грн
3827+3.23 грн
3847+3.10 грн
6000+2.85 грн
15000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3788
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.37 грн
6000+3.14 грн
9000+2.82 грн
15000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.11 грн
1500+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+9.38 грн
130+5.43 грн
131+5.39 грн
202+3.38 грн
250+3.12 грн
500+2.98 грн
1000+2.96 грн
3000+2.95 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.82 грн
52+7.70 грн
75+5.32 грн
100+4.58 грн
407+2.29 грн
1119+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : onsemi BSS64LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
на замовлення 10480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.49 грн
44+8.15 грн
100+4.65 грн
500+3.50 грн
1000+3.05 грн
3000+2.59 грн
6000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.38 грн
31+9.59 грн
50+6.38 грн
100+5.49 грн
407+2.74 грн
1119+2.60 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.55 грн
95+9.06 грн
147+5.82 грн
500+4.11 грн
1500+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : onsemi bss64lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : ON Semiconductor bss64lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G Виробник : onsemi bss64lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.