Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS64LT1G
BSS64LT1G

BSS64LT1G ON Semiconductor

bss64lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.70 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS64LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS64LT1G за ціною від 2.99 грн до 44.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3817+3.70 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.36 грн
51+8.19 грн
73+5.69 грн
100+4.87 грн
500+3.44 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G onsemi bss64lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.92 грн
37+8.19 грн
100+5.06 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.22 грн
63+12.07 грн
67+11.27 грн
101+7.25 грн
250+6.27 грн
500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G onsemi bss64lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
на замовлення 14674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G On Semiconductor bss64lt1-d.pdf SOT-23 Транзистори
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3817+3.70 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.36 грн
51+8.19 грн
73+5.69 грн
100+4.87 грн
500+3.44 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.92 грн
37+8.19 грн
100+5.06 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.22 грн
63+12.07 грн
67+11.27 грн
101+7.25 грн
250+6.27 грн
500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
на замовлення 14674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G 2355036.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G 2355036.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
SOT-23 Транзистори
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.