Продукція > ROHM > BSS670AHZGT116
BSS670AHZGT116

BSS670AHZGT116 ROHM


bss670ahzgt116-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.29 грн
500+10.35 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670AHZGT116 ROHM

Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції BSS670AHZGT116 за ціною від 6.62 грн до 49.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS670AHZGT116 BSS670AHZGT116 Виробник : ROHM bss670ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.42 грн
36+23.27 грн
100+13.29 грн
500+10.35 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 BSS670AHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS670AHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.95 грн
12+27.28 грн
25+22.44 грн
100+15.92 грн
250+13.38 грн
500+11.82 грн
1000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 BSS670AHZGT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS670AHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs SOT23 N CHAN 60V
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.78 грн
14+24.28 грн
100+11.99 грн
1000+10.52 грн
3000+7.72 грн
9000+6.92 грн
24000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor bss670ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
719+16.98 грн
790+15.45 грн
924+13.22 грн
1000+12.06 грн
2000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 719
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor bss670ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
532+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 532
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 BSS670AHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS670AHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.