Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSS670AHZGT116
BSS670AHZGT116

BSS670AHZGT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSS670AHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.38 грн
13+24.25 грн
50+17.64 грн
100+14.53 грн
500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670AHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції BSS670AHZGT116 за ціною від 7.58 грн до 45.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS670AHZGT116 BSS670AHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS670AHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs SOT23 N-CH 60V .65A
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+45.19 грн
16+20.12 грн
100+15.39 грн
500+11.56 грн
3000+8.71 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 BSS670AHZGT116 ROHM bss670ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 BSS670AHZGT116 ROHM bss670ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 Rohm Semiconductor bss670ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+15.42 грн
983+14.87 грн
1017+14.38 грн
2500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 Rohm Semiconductor bss670ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+33.03 грн
848+17.25 грн
1000+16.18 грн
2000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 datasheet?p=BSS670AHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BSS670AHZGT116
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .65A
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.19 грн
16+20.12 грн
100+15.39 грн
500+11.56 грн
3000+8.71 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 bss670ahzgt116-e.pdf
BSS670AHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 bss670ahzgt116-e.pdf
BSS670AHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 bss670ahzgt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
948+15.42 грн
983+14.87 грн
1017+14.38 грн
2500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670AHZGT116 bss670ahzgt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
443+33.03 грн
848+17.25 грн
1000+16.18 грн
2000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.