Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS670S2LH6327XTSA1
BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss670s2l_rev2.6.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.72 грн
6000+4.51 грн
9000+3.84 грн
15000+3.66 грн
21000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS670S2LH6327XTSA1 за ціною від 3.10 грн до 24.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.10 грн
9000+3.87 грн
15000+3.39 грн
21000+3.24 грн
30000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.45 грн
6000+5.81 грн
9000+5.48 грн
15000+4.92 грн
21000+4.37 грн
30000+4.01 грн
75000+3.60 грн
150000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.74 грн
1000+5.30 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+19.11 грн
34+12.76 грн
50+8.70 грн
100+7.39 грн
500+5.24 грн
1000+4.55 грн
3000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.53 грн
25+12.17 грн
100+7.60 грн
500+5.27 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.95 грн
59+14.09 грн
250+7.74 грн
1000+5.30 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 21820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.52 грн
24+13.48 грн
100+7.30 грн
500+5.19 грн
1000+4.56 грн
3000+3.65 грн
6000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+24.13 грн
50+14.85 грн
54+13.97 грн
100+8.41 грн
250+7.71 грн
500+6.60 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.