BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies


BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
9000+3.89 грн
15000+3.40 грн
21000+3.25 грн
30000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS670S2LH6327XTSA1 за ціною від 2.92 грн до 24.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
6000+4.58 грн
9000+3.90 грн
15000+3.72 грн
21000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+5.90 грн
9000+5.56 грн
15000+5.00 грн
21000+4.44 грн
30000+4.07 грн
75000+3.66 грн
150000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.19 грн
34+12.81 грн
50+8.74 грн
100+7.42 грн
500+5.26 грн
1000+4.56 грн
3000+3.77 грн
6000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
25+12.22 грн
100+7.64 грн
500+5.29 грн
1000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 21820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.61 грн
24+13.54 грн
100+7.33 грн
500+5.22 грн
1000+4.58 грн
3000+3.67 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.52 грн
50+15.09 грн
54+14.19 грн
100+8.55 грн
250+7.83 грн
500+6.71 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.80 грн
6000+4.58 грн
9000+3.90 грн
15000+3.72 грн
21000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.55 грн
6000+5.90 грн
9000+5.56 грн
15000+5.00 грн
21000+4.44 грн
30000+4.07 грн
75000+3.66 грн
150000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+19.19 грн
34+12.81 грн
50+8.74 грн
100+7.42 грн
500+5.26 грн
1000+4.56 грн
3000+3.77 грн
6000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.62 грн
25+12.22 грн
100+7.64 грн
500+5.29 грн
1000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 21820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.61 грн
24+13.54 грн
100+7.33 грн
500+5.22 грн
1000+4.58 грн
3000+3.67 грн
6000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+24.52 грн
50+15.09 грн
54+14.19 грн
100+8.55 грн
250+7.83 грн
500+6.71 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.