Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS670S2LH6327XTSA1
BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss670s2l_rev2.6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.80 грн
6000+4.58 грн
9000+3.90 грн
15000+3.72 грн
21000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS670S2LH6327XTSA1 за ціною від 3.53 грн до 24.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
9000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+5.90 грн
9000+5.56 грн
15000+5.00 грн
21000+4.44 грн
30000+4.07 грн
75000+3.66 грн
150000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.79 грн
23+13.74 грн
50+9.87 грн
100+8.07 грн
500+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.52 грн
50+15.09 грн
54+14.19 грн
100+8.55 грн
250+7.83 грн
500+6.71 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 74584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.02 грн
9000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.55 грн
6000+5.90 грн
9000+5.56 грн
15000+5.00 грн
21000+4.44 грн
30000+4.07 грн
75000+3.66 грн
150000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.79 грн
23+13.74 грн
50+9.87 грн
100+8.07 грн
500+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+24.52 грн
50+15.09 грн
54+14.19 грн
100+8.55 грн
250+7.83 грн
500+6.71 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 74584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.