Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS670S2LH6327XTSA1
BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss670s2l_rev2.6.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS670S2LH6327XTSA1 за ціною від 2.81 грн до 22.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3756000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+4.02 грн
1896000+3.67 грн
2844000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.43 грн
6000+3.84 грн
9000+3.13 грн
15000+2.93 грн
21000+2.92 грн
30000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.07 грн
1000+5.53 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1112+10.98 грн
1880+6.49 грн
2055+5.94 грн
5000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 1112
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A82953A1E7110B&compId=BSS670S2LH6327XTSA.pdf?ci_sign=2c6f1d2f4b0a50a6adc3480e956cf1183118c3f9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.54A
Drain-source voltage: 55V
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.38 грн
40+9.92 грн
58+6.87 грн
100+5.90 грн
247+3.77 грн
679+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS670S2L-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 37310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.79 грн
35+10.25 грн
100+6.32 грн
500+5.41 грн
1000+4.87 грн
3000+3.43 грн
6000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A82953A1E7110B&compId=BSS670S2LH6327XTSA.pdf?ci_sign=2c6f1d2f4b0a50a6adc3480e956cf1183118c3f9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.54A
Drain-source voltage: 55V
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.46 грн
24+12.36 грн
50+8.24 грн
100+7.08 грн
247+4.52 грн
679+4.27 грн
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+20.04 грн
55+12.72 грн
56+12.59 грн
100+7.20 грн
250+6.65 грн
500+5.99 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.42 грн
27+11.98 грн
100+6.62 грн
500+5.61 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.90 грн
59+14.70 грн
250+8.07 грн
1000+5.53 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.