BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.67 грн |
| 6000+ | 4.05 грн |
| 9000+ | 3.82 грн |
| 15000+ | 3.34 грн |
| 21000+ | 3.20 грн |
| 30000+ | 3.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS670S2LH6327XTSA1 за ціною від 2.87 грн до 24.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 26518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.36W Drain current: 0.54A On-state resistance: 0.65Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 55V |
на замовлення 6103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 38866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 26518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3 |
на замовлення 21820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BSS670S2LH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |



