BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.75 грн |
| 6000+ | 4.12 грн |
| 9000+ | 3.89 грн |
| 15000+ | 3.40 грн |
| 21000+ | 3.25 грн |
| 30000+ | 3.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS670S2LH6327XTSA1 за ціною від 2.92 грн до 24.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.36W Drain current: 0.54A On-state resistance: 0.65Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 55V |
на замовлення 6103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 38866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3 |
на замовлення 21820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS670S2LH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 175 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.80 грн |
| 6000+ | 4.58 грн |
| 9000+ | 3.90 грн |
| 15000+ | 3.72 грн |
| 21000+ | 2.92 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.15 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.55 грн |
| 6000+ | 5.90 грн |
| 9000+ | 5.56 грн |
| 15000+ | 5.00 грн |
| 21000+ | 4.44 грн |
| 30000+ | 4.07 грн |
| 75000+ | 3.66 грн |
| 150000+ | 3.53 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.55 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 19.19 грн |
| 34+ | 12.81 грн |
| 50+ | 8.74 грн |
| 100+ | 7.42 грн |
| 500+ | 5.26 грн |
| 1000+ | 4.56 грн |
| 3000+ | 3.77 грн |
| 6000+ | 3.67 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.62 грн |
| 25+ | 12.22 грн |
| 100+ | 7.64 грн |
| 500+ | 5.29 грн |
| 1000+ | 4.68 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 21820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.61 грн |
| 24+ | 13.54 грн |
| 100+ | 7.33 грн |
| 500+ | 5.22 грн |
| 1000+ | 4.58 грн |
| 3000+ | 3.67 грн |
| 6000+ | 3.31 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 24.52 грн |
| 50+ | 15.09 грн |
| 54+ | 14.19 грн |
| 100+ | 8.55 грн |
| 250+ | 7.83 грн |
| 500+ | 6.71 грн |
| 1000+ | 4.02 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





