BSS670S2LH6433XTMA1

BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies


BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.07 грн
20000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS670S2LH6433XTMA1 за ціною від 2.43 грн до 23.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6757+5.16 грн
10000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 6757
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.26 грн
1000+4.46 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1021+13.68 грн
1949+7.16 грн
2090+6.68 грн
5000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 1021
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS670S2L-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 17388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.68 грн
32+10.16 грн
100+5.01 грн
500+4.38 грн
1000+4.03 грн
5000+3.55 грн
10000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.31 грн
71+11.52 грн
125+6.51 грн
500+5.26 грн
1000+4.46 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 35634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.47 грн
23+13.64 грн
100+8.54 грн
500+5.92 грн
1000+5.25 грн
2000+4.68 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.