BSS670T116 Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1684+ | 7.23 грн |
| 1741+ | 6.99 грн |
| 2500+ | 6.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS670T116 Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSS670T116 за ціною від 5.52 грн до 38.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS670T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS670T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS670T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS670T116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Silicon N-CH Mosfet, 60V Drain, +--20V Gate. |
на замовлення 6236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS670T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |