
BSS7728NH6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS7728NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSS7728NH6327XTSA2 за ціною від 2.92 грн до 26.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
на замовлення 10894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSS7728NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |