Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS806NEH6327XTSA1
BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.84 грн
6000+5.65 грн
9000+4.63 грн
24000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS806NEH6327XTSA1 за ціною від 4.13 грн до 28.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
6000+5.68 грн
9000+4.66 грн
24000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
6000+5.40 грн
9000+5.11 грн
15000+4.49 грн
21000+4.30 грн
30000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2095+6.75 грн
2500+6.55 грн
5000+6.37 грн
10000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.89 грн
25+17.08 грн
50+11.43 грн
100+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
18+17.01 грн
100+10.72 грн
500+7.49 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.86 грн
6000+5.68 грн
9000+4.66 грн
24000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.20 грн
6000+5.40 грн
9000+5.11 грн
15000+4.49 грн
21000+4.30 грн
30000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2095+6.75 грн
2500+6.55 грн
5000+6.37 грн
10000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.89 грн
25+17.08 грн
50+11.43 грн
100+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
18+17.01 грн
100+10.72 грн
500+7.49 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.