Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS806NEH6327XTSA1
BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.55 грн
9000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.

Інші пропозиції BSS806NEH6327XTSA1 за ціною від 4.51 грн до 28.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
6000+7.01 грн
9000+6.21 грн
24000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
6000+7.01 грн
9000+6.21 грн
24000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
6000+7.13 грн
9000+6.32 грн
24000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.06 грн
6000+7.16 грн
9000+6.34 грн
24000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.91 грн
100+13.88 грн
500+10.41 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
835+16.91 грн
1017+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 835 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.44 грн
25+17.44 грн
50+11.66 грн
100+9.79 грн
500+6.79 грн
1000+5.93 грн
3000+4.95 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
18+16.99 грн
50+12.24 грн
100+10.03 грн
500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327; BSS806NEH6327XTSA1 TBSS806ne
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.88 грн
6000+7.01 грн
9000+6.21 грн
24000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.88 грн
6000+7.01 грн
9000+6.21 грн
24000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.03 грн
6000+7.13 грн
9000+6.32 грн
24000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.06 грн
6000+7.16 грн
9000+6.34 грн
24000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+16.91 грн
100+13.88 грн
500+10.41 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
835+16.91 грн
1017+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 835 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.44 грн
25+17.44 грн
50+11.66 грн
100+9.79 грн
500+6.79 грн
1000+5.93 грн
3000+4.95 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.48 грн
18+16.99 грн
50+12.24 грн
100+10.03 грн
500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327; BSS806NEH6327XTSA1 TBSS806ne
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.