BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS806NEH6327XTSA1 за ціною від 3.74 грн до 31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 13210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 68468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 |
на замовлення 48578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 13210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327; BSS806NEH6327XTSA1 TBSS806ne кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSS806NEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |