Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS806NEH6327XTSA1
BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS806NEH6327XTSA1 за ціною від 3.53 грн до 27.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.16 грн
6000+4.99 грн
9000+4.10 грн
24000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.50 грн
6000+5.32 грн
9000+4.36 грн
24000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.63 грн
6000+4.89 грн
9000+4.63 грн
15000+4.06 грн
21000+3.90 грн
30000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2095+5.94 грн
2500+5.76 грн
5000+5.60 грн
10000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 2095
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.16 грн
500+7.44 грн
1500+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.94 грн
36+11.35 грн
42+9.67 грн
58+6.99 грн
100+6.19 грн
500+4.92 грн
1000+4.56 грн
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.72 грн
22+14.14 грн
25+11.61 грн
50+8.38 грн
100+7.42 грн
500+5.91 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 15859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.14 грн
31+11.74 грн
100+8.13 грн
500+6.37 грн
3000+3.99 грн
6000+3.91 грн
9000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.29 грн
68+12.83 грн
100+10.16 грн
500+7.44 грн
1500+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.39 грн
20+15.99 грн
100+10.07 грн
500+7.03 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.