Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS806NEH6327XTSA1
BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.83 грн
6000+5.08 грн
9000+4.80 грн
15000+4.21 грн
21000+4.04 грн
30000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS806NEH6327XTSA1 за ціною від 4.51 грн до 32.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.93 грн
29+14.85 грн
50+10.54 грн
100+9.13 грн
500+6.76 грн
1000+5.89 грн
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.11 грн
100+10.13 грн
500+7.07 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.56 грн
17+19.29 грн
100+11.14 грн
500+8.04 грн
1000+7.47 грн
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
21+21.93 грн
29+14.85 грн
50+10.54 грн
100+9.13 грн
500+6.76 грн
1000+5.89 грн
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.75 грн
19+16.11 грн
100+10.13 грн
500+7.07 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.56 грн
17+19.29 грн
100+11.14 грн
500+8.04 грн
1000+7.47 грн
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.