Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS806NH6327XTSA1
BSS806NH6327XTSA1

BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss806n_rev2.3_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS806NH6327XTSA1 за ціною від 3.21 грн до 29.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss806n_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 612000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.80 грн
6000+4.49 грн
9000+3.95 грн
15000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss806n_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 612000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.12 грн
6000+4.78 грн
9000+4.20 грн
15000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.54 грн
6000+4.82 грн
9000+4.56 грн
15000+4.00 грн
21000+3.83 грн
30000+3.67 грн
75000+3.27 грн
150000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON 1849735.pdf Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.90 грн
500+8.55 грн
1500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.38 грн
30+13.67 грн
50+9.56 грн
100+8.23 грн
500+6.01 грн
1000+5.30 грн
3000+4.43 грн
6000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.56 грн
21+15.83 грн
100+9.93 грн
500+6.92 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.86 грн
18+17.03 грн
50+11.47 грн
100+9.88 грн
500+7.21 грн
1000+6.36 грн
3000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS806N_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 39886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.95 грн
25+14.47 грн
100+7.67 грн
500+7.06 грн
1000+6.29 грн
3000+3.91 грн
6000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON 1849735.pdf Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.18 грн
53+16.35 грн
100+9.90 грн
500+8.55 грн
1500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1
Код товару: 154371
Додати до обраних Обраний товар

BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss806n_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss806n_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.