Інші пропозиції BSS806NH6327XTSA1 за ціною від 3.74 грн до 31.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
 N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 612000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 612000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 373309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 2 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5413 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |