BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS806NH6327XTSA1 за ціною від 3.26 грн до 31.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 612000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 612000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 464250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 464891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 |
на замовлення 39886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS806NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 5228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS806NH6327XTSA1 Код товару: 154371
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSS806NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |