Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS806NH6327XTSA1

BSS806NH6327XTSA1

BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c
Код товару: 154371
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS806NH6327XTSA1 за ціною від 3.81 грн до 32.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon info-tbss806n.pdf N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.74 грн
6000+5.00 грн
9000+4.72 грн
15000+4.15 грн
21000+3.98 грн
30000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon info-tbss806n.pdf N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
20+15.88 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.24 грн
24+18.07 грн
50+12.62 грн
100+10.75 грн
500+7.54 грн
1000+6.57 грн
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS806N_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.56 грн
17+19.70 грн
100+11.07 грн
500+7.82 грн
1000+6.84 грн
3000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 info-tbss806n.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.74 грн
6000+5.00 грн
9000+4.72 грн
15000+4.15 грн
21000+3.98 грн
30000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 info-tbss806n.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.96 грн
20+15.88 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+29.24 грн
24+18.07 грн
50+12.62 грн
100+10.75 грн
500+7.54 грн
1000+6.57 грн
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 Infineon_BSS806N_DS_v02_03_en.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.56 грн
17+19.70 грн
100+11.07 грн
500+7.82 грн
1000+6.84 грн
3000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.