BSS816NWH6327XTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS816NWH6327XTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS816NWH6327XTSA1 за ціною від 2.49 грн до 23.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 69185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 |
на замовлення 107762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 47588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.80 грн |
| 6000+ | 4.42 грн |
| 9000+ | 3.96 грн |
| 15000+ | 2.95 грн |
| 21000+ | 2.71 грн |
| 30000+ | 2.51 грн |
| 75000+ | 2.49 грн |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.94 грн |
| 6000+ | 4.29 грн |
| 9000+ | 4.05 грн |
| 15000+ | 3.54 грн |
| 21000+ | 3.40 грн |
| 30000+ | 3.25 грн |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.13 грн |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1377+ | 10.21 грн |
| 1566+ | 8.97 грн |
| 2193+ | 6.41 грн |
| 12000+ | 5.86 грн |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 21.29 грн |
| 30+ | 13.92 грн |
| 50+ | 9.59 грн |
| 100+ | 8.10 грн |
| 500+ | 5.58 грн |
| 1000+ | 4.82 грн |
| 3000+ | 3.90 грн |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.86 грн |
| 22+ | 13.86 грн |
| 100+ | 8.68 грн |
| 500+ | 6.03 грн |
| 1000+ | 5.34 грн |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
на замовлення 107762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS816NWH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)