Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS816NWH6327XTSA1
BSS816NWH6327XTSA1

BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 179000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.54 грн
6000+3.94 грн
9000+3.71 грн
15000+3.25 грн
21000+3.11 грн
30000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS816NWH6327XTSA1 за ціною від 2.46 грн до 23.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.36 грн
9000+3.91 грн
15000+2.91 грн
21000+2.67 грн
30000+2.48 грн
75000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.56 грн
1000+4.77 грн
5000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1377+9.40 грн
1566+8.26 грн
2193+5.90 грн
12000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 1377
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+19.02 грн
33+13.12 грн
50+9.08 грн
100+7.70 грн
500+5.36 грн
1000+4.61 грн
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 179405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.01 грн
24+12.87 грн
100+8.02 грн
500+5.56 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS816NW_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
на замовлення 135344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.42 грн
24+13.50 грн
100+7.62 грн
500+5.73 грн
1000+5.03 грн
3000+3.56 грн
6000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.48 грн
68+12.07 грн
250+8.56 грн
1000+4.77 грн
5000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.