Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS816NWH6327XTSA1
BSS816NWH6327XTSA1

BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 456000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.96 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції BSS816NWH6327XTSA1 за ціною від 3.30 грн до 23.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 453000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
9000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 453000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.91 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1023+13.92 грн
1254+11.36 грн
1909+7.46 грн
3000+5.35 грн
9000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 1023 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.19 грн
55+13.92 грн
100+11.36 грн
500+7.19 грн
3000+4.95 грн
9000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon_bss816nw_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
на замовлення 183944 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.78 грн
30+10.26 грн
100+7.75 грн
500+6.00 грн
1000+5.92 грн
3000+4.61 грн
6000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
32+13.12 грн
50+8.29 грн
100+6.83 грн
500+4.60 грн
1000+3.99 грн
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 458816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.91 грн
22+13.89 грн
50+10.00 грн
100+8.18 грн
500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 42669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 42769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.79 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.79 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 453000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.89 грн
9000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 453000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.91 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1023+13.92 грн
1254+11.36 грн
1909+7.46 грн
3000+5.35 грн
9000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 1023 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.19 грн
55+13.92 грн
100+11.36 грн
500+7.19 грн
3000+4.95 грн
9000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 infineon_bss816nw_datasheet_en.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
на замовлення 183944 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.78 грн
30+10.26 грн
100+7.75 грн
500+6.00 грн
1000+5.92 грн
3000+4.61 грн
6000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
32+13.12 грн
50+8.29 грн
100+6.83 грн
500+4.60 грн
1000+3.99 грн
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 458816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.91 грн
22+13.89 грн
50+10.00 грн
100+8.18 грн
500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 42669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 42769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.