Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1

BSS83IXUSA1 Infineon Technologies

infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1348+9.21 грн
1363+9.11 грн
1846+6.72 грн
2098+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 1348
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS83IXUSA1 Infineon Technologies

Description: BSS83IXUSA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSS83IXUSA1 за ціною від 2.72 грн до 26.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies 448_BSS83I.pdf Description: BSS83IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.62 грн
25+13.07 грн
100+8.17 грн
500+5.66 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+24.96 грн
46+15.54 грн
100+9.51 грн
250+8.71 грн
500+6.18 грн
1000+5.43 грн
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS83I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.38 грн
19+19.15 грн
100+9.45 грн
500+6.43 грн
1000+5.03 грн
3000+4.34 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies 448_BSS83I.pdf Description: BSS83IXUSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.