BSS83IXUSA1 Infineon Technologies


infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.19 грн
36000+4.74 грн
54000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS83IXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.04W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.

Інші пропозиції BSS83IXUSA1 за ціною від 4.64 грн до 27.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
6000+6.27 грн
9000+5.38 грн
24000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+6.27 грн
9000+5.38 грн
24000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.44 грн
6000+6.38 грн
9000+5.48 грн
24000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.44 грн
6000+6.38 грн
9000+5.48 грн
24000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1388+10.19 грн
1401+10.10 грн
1830+7.73 грн
2174+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 1388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies 448_BSS83I.pdf Description: BSS83IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.44 грн
50+9.68 грн
100+7.91 грн
500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.07 грн
46+16.70 грн
64+11.79 грн
100+9.83 грн
250+9.02 грн
500+6.63 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS83I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 8505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.04W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.32 грн
6000+6.27 грн
9000+5.38 грн
24000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.33 грн
6000+6.27 грн
9000+5.38 грн
24000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.44 грн
6000+6.38 грн
9000+5.48 грн
24000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.44 грн
6000+6.38 грн
9000+5.48 грн
24000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1388+10.19 грн
1401+10.10 грн
1830+7.73 грн
2174+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 1388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 448_BSS83I.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSS83IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.73 грн
23+13.44 грн
50+9.68 грн
100+7.91 грн
500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.07 грн
46+16.70 грн
64+11.79 грн
100+9.83 грн
250+9.02 грн
500+6.63 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 Infineon_BSS83I_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
на замовлення 8505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.04W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.