Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS83P H6327
BSS83P H6327

BSS83P H6327 Infineon Technologies

BSS83P_Rev1_6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.71 грн
11+29.70 грн
100+16.37 грн
500+10.29 грн
1000+9.08 грн
3000+7.66 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS83P H6327 Infineon Technologies

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -330mA, Power dissipation: 0.36W, Case: PG-SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції BSS83P H6327 за ціною від 4.79 грн до 4.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS83P H6327 Infineon BSS83PH6327XTSA1 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; TBSS83p
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
131+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83P H6327
Виробник: Infineon
BSS83PH6327XTSA1 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; TBSS83p
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.