| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.56 грн |
| 12+ | 27.64 грн |
| 100+ | 15.19 грн |
| 500+ | 9.61 грн |
| 1000+ | 8.50 грн |
| 3000+ | 7.18 грн |
| 6000+ | 6.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS83P H6327 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -330mA, Power dissipation: 0.36W, Case: PG-SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції BSS83P H6327 за ціною від 4.81 грн до 4.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS83P H6327 | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSS83P H6327 | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSS83P H6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |