
BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.10 грн |
9000+ | 4.28 грн |
24000+ | 4.01 грн |
45000+ | 3.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 3.77 грн до 31.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 168324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 91004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |