BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.45 грн |
| 6000+ | 5.62 грн |
| 9000+ | 5.32 грн |
| 15000+ | 4.67 грн |
| 21000+ | 4.48 грн |
| 30000+ | 4.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 3.86 грн до 33.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Case: PG-SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 2Ω Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.33A |
на замовлення 15596 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch SOT-23-3 |
на замовлення 121962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 55096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83pкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



