BSS83PH6327XTSA1

BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies


BSS83P%20H6327.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.75 грн
6000+5.04 грн
9000+4.05 грн
15000+3.79 грн
21000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 3.89 грн до 34.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.33 грн
9000+4.57 грн
24000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.47 грн
9000+4.67 грн
24000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
596+20.50 грн
598+20.42 грн
1250+9.76 грн
2000+8.55 грн
9000+6.82 грн
18000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.45 грн
250+10.77 грн
1000+8.01 грн
5000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 17438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.07 грн
28+14.60 грн
35+11.58 грн
50+9.68 грн
100+8.17 грн
228+4.13 грн
625+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.68 грн
17+18.19 грн
25+13.90 грн
50+11.62 грн
100+9.81 грн
228+4.95 грн
625+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.84 грн
19+17.14 грн
100+10.23 грн
500+7.54 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P_Rev1_6-3360553.pdf MOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 101443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.37 грн
19+19.09 грн
100+8.99 грн
500+7.77 грн
1000+6.85 грн
3000+5.10 грн
6000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.77 грн
50+21.45 грн
250+10.77 грн
1000+8.01 грн
5000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.