BSS83PH6327XTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 3.85 грн до 33.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Case: PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.33A On-state resistance: 2Ω Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±20V Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch SOT-23-3 |
на замовлення 98440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |