Продукція > INFINEON > BSS83PH6327XTSA1
BSS83PH6327XTSA1

BSS83PH6327XTSA1 Infineon

info-tbss83p.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 4.36 грн до 44.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.35 грн
9000+6.01 грн
15000+5.28 грн
21000+5.06 грн
30000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4831+7.32 грн
10000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1368000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.54 грн
6000+6.95 грн
9000+5.77 грн
15000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+22.65 грн
991+14.28 грн
1329+10.65 грн
1495+9.13 грн
3000+6.33 грн
6000+5.69 грн
9000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.24 грн
24+18.33 грн
50+12.47 грн
100+10.56 грн
500+7.40 грн
1000+6.34 грн
3000+5.16 грн
6000+4.62 грн
9000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
16+20.01 грн
100+12.60 грн
500+8.80 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON 1835997.pdf Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.29 грн
50+20.89 грн
250+13.16 грн
1000+8.17 грн
5000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P_Rev1_6.pdf MOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 120160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.57 грн
11+30.72 грн
100+16.92 грн
500+10.64 грн
1000+9.30 грн
3000+8.18 грн
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.28 грн
6000+6.35 грн
9000+6.01 грн
15000+5.28 грн
21000+5.06 грн
30000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4831+7.32 грн
10000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1368000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.54 грн
6000+6.95 грн
9000+5.77 грн
15000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
625+22.65 грн
991+14.28 грн
1329+10.65 грн
1495+9.13 грн
3000+6.33 грн
6000+5.69 грн
9000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+29.24 грн
24+18.33 грн
50+12.47 грн
100+10.56 грн
500+7.40 грн
1000+6.34 грн
3000+5.16 грн
6000+4.62 грн
9000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.10 грн
16+20.01 грн
100+12.60 грн
500+8.80 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 1835997.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+34.29 грн
50+20.89 грн
250+13.16 грн
1000+8.17 грн
5000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P_Rev1_6.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 120160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.57 грн
11+30.72 грн
100+16.92 грн
500+10.64 грн
1000+9.30 грн
3000+8.18 грн
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.