BSS83PH6327XTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 4.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 4.11 грн до 29.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1368000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9925 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 72810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch SOT-23-3 |
на замовлення 120160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.16 грн |
| 6000+ | 5.37 грн |
| 9000+ | 5.08 грн |
| 15000+ | 4.46 грн |
| 21000+ | 4.28 грн |
| 30000+ | 4.11 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4831+ | 7.27 грн |
| 10000+ | 6.49 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1368000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.49 грн |
| 6000+ | 6.90 грн |
| 9000+ | 5.73 грн |
| 15000+ | 4.43 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.08 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 625+ | 22.50 грн |
| 991+ | 14.19 грн |
| 1329+ | 10.57 грн |
| 1495+ | 9.07 грн |
| 3000+ | 6.29 грн |
| 6000+ | 5.65 грн |
| 9000+ | 5.20 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 28.38 грн |
| 24+ | 17.79 грн |
| 50+ | 12.11 грн |
| 100+ | 10.25 грн |
| 500+ | 7.18 грн |
| 1000+ | 6.15 грн |
| 3000+ | 5.01 грн |
| 6000+ | 4.49 грн |
| 9000+ | 4.23 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.25 грн |
| 18+ | 16.97 грн |
| 100+ | 10.66 грн |
| 500+ | 7.45 грн |
| 1000+ | 6.62 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 120160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS83PH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)