Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS83PH6327XTSA1
BSS83PH6327XTSA1

BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.10 грн
9000+4.28 грн
24000+4.01 грн
45000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS83PH6327XTSA1 за ціною від 3.55 грн до 33.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
9000+4.61 грн
24000+4.32 грн
45000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.14 грн
6000+5.35 грн
9000+4.95 грн
15000+4.22 грн
21000+3.80 грн
30000+3.72 грн
75000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1014+12.01 грн
1172+10.39 грн
1416+8.60 грн
2000+7.82 грн
9000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 1014
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.46 грн
250+12.45 грн
1000+8.31 грн
5000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.68 грн
25+15.34 грн
32+11.94 грн
50+9.83 грн
100+8.09 грн
197+4.54 грн
540+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 164399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.26 грн
19+16.78 грн
100+8.44 грн
500+7.41 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.14 грн
50+19.46 грн
250+12.45 грн
1000+8.31 грн
5000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSS83P_Rev1_6-3360553.pdf MOSFETs P-Ch SOT-23-3
на замовлення 91004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.41 грн
18+19.11 грн
100+7.91 грн
1000+7.04 грн
3000+5.30 грн
9000+4.50 грн
24000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+31.99 грн
31+19.76 грн
100+9.43 грн
1000+8.06 грн
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.21 грн
15+19.12 грн
25+14.33 грн
50+11.79 грн
100+9.71 грн
197+5.44 грн
540+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSS83P%20H6327.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.