
на замовлення 13691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
220+ | 1.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS84,215 за ціною від 1.71 грн до 20.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1683000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1683000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1785000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 119852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1917000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 318634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 17635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 62750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1340531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 318634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS84,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84,215 | Виробник : NXP |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS84,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |