Технічний опис BSS84-7-F Diodes
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.
Інші пропозиції BSS84-7-F за ціною від 1.51 грн до 20.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS84-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; Idm: -1.2A; 0.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -1.2A |
на замовлення 20305 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | DIODES/ZETEX |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F; BSS84-7-F TBSS84 DIODESкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1071000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1071000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | Diodes Incorporated |
MOSFETs 50V 300mW |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84-7-F | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REELtariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84-7-F | Diodes INC. |
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; Idm: -1.2A; 0.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.2A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; Idm: -1.2A; 0.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.2A
на замовлення 20305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.80 грн |
| 72+ | 5.79 грн |
| 102+ | 4.07 грн |
| 122+ | 3.40 грн |
| 500+ | 2.23 грн |
| 1000+ | 2.15 грн |
| 3000+ | 1.85 грн |
| 6000+ | 1.65 грн |
| 9000+ | 1.51 грн |
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F; BSS84-7-F TBSS84 DIODES
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F; BSS84-7-F TBSS84 DIODES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.69 грн |
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.91 грн |
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4824+ | 2.93 грн |
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 20.19 грн |
| 58+ | 13.05 грн |
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 50V 300mW
MOSFETs 50V 300mW
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
Description: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.68 грн |








