BSS84-7-F Diodes
на замовлення 58 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84-7-F Diodes
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84-7-F за ціною від 1.62 грн до 21.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 +1 |
BSS84-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; Idm: -1.2A; 0.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -1.2A |
на замовлення 12795 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 82075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1176000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1176000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS84-7-F | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REEL tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS84-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 82156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 50V 300mW |
на замовлення 5435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS84-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BSS84-7-F | Виробник : Diodes INC. |
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|