 
BSS8402DW-7-F Diodes Zetex
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 4.82 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS8402DW-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 200mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції BSS8402DW-7-F за ціною від 5.16 грн до 54.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |  Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 300000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |  Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |  Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 30000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |  Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |  Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1188 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |  Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1188 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |  Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1961 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |  Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-50V Drain current: 0.115/-0.13A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10/13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 481 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| BSS8402DW-7-F Код товару: 177913 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |  Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 32664 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |  Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-50V Drain current: 0.115/-0.13A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10/13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 481 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |  MOSFETs 60 / -50V 200mW | на замовлення 4867 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |  Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1961 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES/ZETEX |  Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW TBSS8402DW кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 15 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Inc |  Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |  Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності |