Інші пропозиції BSS8402DW-7-F за ціною від 5.73 грн до 51.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 515500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 515500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-50V Drain current: 0.115/-0.13A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10/13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 24143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60 / -50V 200mW |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS8402DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS8402DW-7-F | Виробник : Vishay Semiconductor |
Транзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Група товару: Транзистори Корпус: SC70-6 Од. в кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS8402DW-7-F | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|