
BSS8402DW Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 50V 3@10V,0.13A 500MV 1 N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 25V, 30pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 130mA, 10V, 5Ohm @ 130mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 1.77nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 17.96 грн |
30+ | 10.69 грн |
100+ | 6.64 грн |
500+ | 4.58 грн |
1000+ | 4.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS8402DW Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 3@10V,0.13A 500MV 1 N-CHANNE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 25V, 30pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 130mA, 10V, 5Ohm @ 130mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 1.77nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції BSS8402DW
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BSS8402DW |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
BSS8402DW Код товару: 214059
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
![]() |
BSS8402DW | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 25V, 30pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 130mA, 10V, 5Ohm @ 130mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 1.77nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
товару немає в наявності |
|
BSS8402DW | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |