Продукція > DIODES INCORPORATED > BSS8402DWQ-13
BSS8402DWQ-13

BSS8402DWQ-13 DIODES INCORPORATED

BSS8402DW-7-F.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.80 грн
36+11.77 грн
100+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS8402DWQ-13 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS8402DWQ-13 за ціною від 11.22 грн до 46.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS8402DWQ-13 BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated ds30380.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.46 грн
100+17.60 грн
500+12.51 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13 BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated ds30380.pdf MOSFETs BSS Family SOT363 T&R 10K
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13 ds30380.pdf
BSS8402DWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
11+27.46 грн
100+17.60 грн
500+12.51 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DWQ-13 ds30380.pdf
BSS8402DWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs BSS Family SOT363 T&R 10K
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.