
BSS8402DWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.67 грн |
12+ | 28.57 грн |
100+ | 18.35 грн |
500+ | 13.07 грн |
1000+ | 11.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS8402DWQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції BSS8402DWQ-7 за ціною від 8.21 грн до 56.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS8402DWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS8402DWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS8402DWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS8402DWQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; 200mW; SC88,SOT363; double Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Case: SC88; SOT363 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Application: automotive industry Semiconductor structure: double Operating temperature: -55...150°C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSS8402DWQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS8402DWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS8402DWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS8402DWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
товару немає в наявності |