BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.53 грн |
| 6000+ | 6.58 грн |
| 9000+ | 6.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84AHZGT116 за ціною від 8.05 грн до 34.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -230mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.92A Technology: Trench |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL SPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS84AHZGT116 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 7013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 993+ | 14.25 грн |
| 1026+ | 13.79 грн |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 26.41 грн |
| 100+ | 17.83 грн |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.92A
Technology: Trench
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.92A
Technology: Trench
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 31.25 грн |
| 18+ | 24.21 грн |
| 50+ | 17.00 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.10 грн |
| 15+ | 20.30 грн |
| 100+ | 12.85 грн |
| 500+ | 9.03 грн |
| 1000+ | 8.05 грн |
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
на замовлення 7013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS84AHZGT116 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




