Продукція > NEXPERIA > BSS84AK,215
BSS84AK,215

BSS84AK,215 NEXPERIA

2587525697869044bss84ak.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AK,215 NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS84AK,215 за ціною від 1.72 грн до 12.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : Nexperia 2587525697869044bss84ak.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 448896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.05 грн
100000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : Nexperia BSS84AK.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 50V .18A
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.30 грн
43+8.34 грн
100+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 Виробник : NXP BSS84AK.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84AK,215; BSS84AK.215; BSS84AK,215 TBSS84ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 Виробник : Nexperia Inc. BSS84AK.pdf SOT-23
на замовлення 29 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215
Код товару: 180993
Додати до обраних Обраний товар

BSS84AK.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : NEXPERIA BSS84AK.pdf Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FB7C0952D8747&compId=BSS84AK.pdf?ci_sign=7a6f3f9a767530393e64eab4688396fac543c733 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AK.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AK.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FB7C0952D8747&compId=BSS84AK.pdf?ci_sign=7a6f3f9a767530393e64eab4688396fac543c733 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.