Інші пропозиції BSS84AK,215 за ціною від 2.46 грн до 17.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84AK,215 | Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS84AK,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSS84AK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSS84AK,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
на замовлення 11940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSS84AK,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSS84AK,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
на замовлення 11940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSS84AK,215 | Nexperia |
MOSFETs BSS84AK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 698008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BSS84AK,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BSS84AK,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
у наявності 5 шт: |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BSS84AK,215 | Nexperia |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215; BSS84AK,215 TBSS84ak |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.13 грн |
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.18 грн |
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 8.13 грн |
| 77+ | 5.45 грн |
| 112+ | 3.77 грн |
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 11940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 10.40 грн |
| 124+ | 6.61 грн |
| 500+ | 4.65 грн |
| 1500+ | 3.70 грн |
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.76 грн |
| 45+ | 6.72 грн |
| 100+ | 4.13 грн |
| 500+ | 2.81 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 11940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 17.88 грн |
| 79+ | 10.40 грн |
| 124+ | 6.61 грн |
| 500+ | 4.65 грн |
| 1500+ | 3.70 грн |
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSS84AK/SOT23/TO-236AB
MOSFETs BSS84AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 698008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
у наявності 5 шт:
| BSS84AK,215 |
|
Виробник: Nexperia
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215; BSS84AK,215 TBSS84ak
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215; BSS84AK,215 TBSS84ak
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)