на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AKM,315 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS84AKM,315 за ціною від 3.42 грн до 26.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84AKM,315 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84AKM,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 21208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKM,315 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT883 P-CH 50V .23A |
на замовлення 100862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84AKM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS84AKM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; P; 50V; 230mA; 715mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: P Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.23A Power dissipation: 715mW Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Gate charge: 0.35nC Application: automotive industry |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSS84AKM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |