Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BSS84AKM,315
BSS84AKM,315

BSS84AKM,315 NXP Semiconductors

2119226328278107bss84akm.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3847+9.13 грн
10000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AKM,315 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS84AKM,315

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 NEXPERIA NEXP-S-A0002881489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 NEXPERIA NEXP-S-A0002881489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315 NEXPERIA PHGLS22953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315 NEXP-S-A0002881489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84AKM,315
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315 NEXP-S-A0002881489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84AKM,315
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKM,315 PHGLS22953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.