на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1600+ | 1.88 грн |
| 3000+ | 1.75 грн |
| 6000+ | 1.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AKMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS84AKMB,315 за ціною від 2.36 грн до 29.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 8930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
на замовлення 58262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 50 V, single P-channel Trench MOSFET |
на замовлення 13418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSS84AKMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
товару немає в наявності |