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Технічний опис BSS84AKQBZ Nexperia
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS84AKQBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BSS84AKQBZ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSS84AKQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS84AKQBZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84AKQBZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
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