Продукція > NEXPERIA USA INC. > BSS84AKQBZ
BSS84AKQBZ

BSS84AKQBZ Nexperia USA Inc.

BSS84AKQB.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
20+15.29 грн
100+9.59 грн
500+6.69 грн
1000+5.80 грн
2000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS84AKQBZ Nexperia USA Inc.

Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS84AKQBZ за ціною від 4.84 грн до 30.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia BSS84AKQB.pdf MOSFETs 50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.14 грн
19+18.23 грн
100+9.03 грн
500+7.41 грн
1000+5.94 грн
2500+5.36 грн
5000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : NEXPERIA 3388613.pdf Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : NEXPERIA 3388613.pdf Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia bss84akqb.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZ Виробник : NEXPERIA bss84akqb.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia bss84akqb.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84AKQBZ BSS84AKQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BSS84AKQB.pdf Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.