BSS84AKQBZ Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2866+ | 12.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2866 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AKQBZ Nexperia
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS84AKQBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS84AKQBZ | Nexperia USA Inc. |
 Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BSS84AKQBZ | Nexperia USA Inc. |
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BSS84AKQBZ | Nexperia |
MOSFETs BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BSS84AKQBZ | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS84AKQBZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS84AKQBZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS84AKQBZ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
MOSFETs BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS84AKQBZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.