BSS84AKQBZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 5.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84AKQBZ Nexperia USA Inc.
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS84AKQBZ за ціною від 3.68 грн до 27.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS84AKQBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKQBZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
на замовлення 5881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84AKQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS84AKQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BSS84AKQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BSS84AKQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |